种晶体振荡器电路汇总.pdf

工程师电路设计的左右手！ 9 种晶体振荡器电路汇总 一、70MHz并联晶体振荡器电路: 图1. 70MHz并联晶体振荡器电路 三极管TV2进行信号放大，经电容C8耦合输出。 其中，电阻 RI、R2 和电阻 R5、R6、R7 是三极管 VT1 和 VT2 的直流偏置元件。L2 是高频扼流线圈，给振荡管 VT1 的集电极电流提供一个直流通路。C2 为隔直电 容。C3、C7 是交流旁路电容，使 VT1 的发射极处于交流零电位，但直流电位不 为零。电感 L1，电容 C6，电阻 R3 为改善电源滤波电路，其作用是减少纹波电压 以振高直流分量。略调电容C4、C8，可以改变耦合信号的大小。 1. 元器件选择 电容 C1 为 20p,C2 为 100p，C3、C7 为 820p，C4 为 56p，C5、C8 为 47p, C6 为47u/50V。电感L1为22uH(色码电感)，L2为0.3uH。电阻R1为1.6kΩ， R2 为 1kΩ，R3 为 750Ω，R4 为 180Ω、1W，R5 为 1.3kΩ，R6 为 3kΩ，R7 为 360Ω，R8 为 470Ω，R9—R12 为 300Ω、2W。三极管 VT1、VT2 选 3DG82B， 65≤β≤115。晶体SJT用JA9B型－70MHz。继电器KM为JUC-1M。 2. 使用时应注意 （1） 在应用石英晶体时，有一个必须注意的实际问题，这就是晶体本身的 激励功率。激励功率较大时，输出功率也大，这时，晶体三极管引入 的噪声影响不大。但是，晶体激励功率过大会使晶体长期稳定性（老 化特性）变坏。晶体激励功率小时，长期稳定性较好，但是使用低噪 电子元件技术网是第一个针对电子元器件应用、选型和实用设计方案的技术网络媒体。 更多信息，请访问 工程师电路设计的左右手！ 声晶体三极管较佳。 （2） 由于晶体频率受温度影响很大，为保证对晶体频率稳定度的要求，必 须注意晶体恒温。即将晶体放在恒温槽内，由恒温控制电路来保证恒 温槽内的温度使其维持在晶体的拐点温度。因此，为使振荡频率和震 荡幅度稳定，将晶体 SJT 和 VT1、VT2 放入恒温箱内。恒温箱是用 R9 －R12 四只 2W 金属膜电阻加热，一只小型密封温度继电器 KM 作温度 控制元件。箱内温度在+55℃(所用晶体的拐点温度一般在+60±5℃)。 为减小恒温箱的体积，其电路中的元器件尽可能选其体积越小越好。 如箱内温度高于+55℃时，KM－1.2触点断开；如≤+55℃时，KM－1.2 触点闭合，以保证箱内温度温定在+55℃。 二、采用 Mos 场效应晶体管的石英晶体振荡器电路 图2. 采用 Mos 场效应晶体管的石英晶体振荡器电路 该电路振荡频率范围为 100kHz－5MHz 。工作特性由源极电阻确定。利用微调电 容可以调节频率。输出电阻较高，后接一个源极跟随器作隔离器则可以客服这一 缺点。 三、晶体振荡器与分频器电路 这个简单又廉价的晶体振荡器由 74LS04 的两个门及外围元件组成，电路如图 3 所示： 电子元件技术网是第一个针对电子元器件应用、选型和实用设计方案的技术网络媒体。 更多信息，请访问 工程师电路设计的左右手！ 图3. 晶体振荡器与分频器电路 电阻R1 和 R2 将两个反相器 F1 、F2 偏置在线性范围内，并由晶体 SJT 提供反馈 回路，其在晶体的基频上产生20MHz 振荡频率，然