自旋输运和磁电阻.pdf

评! 述 自旋输运和巨磁电阻 ———自旋电子学的物理基础之一! 邢! 定! 钰 （南京大学固体微结构物理国家重点实验室! 南京! #$%%’ ） 摘! 要! ! 介绍磁性纳米结构和锰氧化物中电子的自旋极化输运和巨磁电阻效应，它们是新近发展的自旋电子学 的物理基础之一( 着重讨论的是以下三方面的基本物理图像：磁多层结构的巨磁电阻，铁磁隧道结的隧穿磁电阻， 掺杂锰氧化物的庞磁电阻效应( 关键词! ! 自旋极化输运，巨磁电阻，磁纳米结构，锰氧化物 !#$%’()#*+, -)($.)- ($, /#($- 0(/$+-)+.#.-($1+ ———( 2(.#1 34.#1(’ 5+(-6)+ 5 .#$-)$#1. )*+, -./0123 （!#$%’ ()%*#%*+ %, -%’$. -##/ 0$1*%2#*31#3*/2 ，!4 $5 6$7/*2$#+ ，!4 $58 #$%%’ ，9:$ ） 72.-)(1-8 8 4/ ./5678395.7/ 57 :;./1;7=6.?8 ??9567/ 56=/:;765 =/8 0.=/5 @=0/?5716?:.:5=/9? （AB ），= C=:.9 ;DE:.9= F?=536? 7F :;./567/.9: ，./ @=0/?5.9 /=/7:5639536?: =/8 @=/0=/?:? 7G.8?: .: 0.H?/( I@;D=:.: .: ;=9?8 7/ 5D? 0.=/5 AB ./ @=0/?5.9 @35.=E?6: ，53//?./0 AB ./ F?667@=0/?5.9 53//? J3/95.7/: ，=/8 977::= AB ./ 87;?8 @=/0=/.5?:( 9+4 :),.8 8 :;./1;7=6.?8 56=/:;765 ，0.=/5 @=0/?576?:.:5=/9? ，@=0/?5.9 /=/71:5639536?: ，@=/0=/.5?: 出增加纳米科技投入的主要依据之一( 它的研究和 $! 引言 应用导致了自旋电子学这一新学科的诞生( #% 世纪 最伟大的创造之一是以晶体管与集成电路为标志的 纳米结构及其应用是目前凝聚态物理和材料科 微电子学的诞生和发展，在此基础上发展起来的高 学研究中的一个重要领域，其中一个有重大影响力 科技应用很大地改变了世界的面貌( 在微电子学中， 的成果是磁性的纳米尺度微结构材料中巨磁电阻效 电子只被看成电荷的载体，主要是研究、控制和应用 应的发现及其自旋器件的应用( 最早的报道是$OO 半导体数目不同的电子和空穴的输运特性( 而在自 ［$］ 旋电子学中，电子不仅是电荷的载体，而且还是自旋 年在Q?R S6 多层结构中发现的巨磁电阻效应 ( #% 世纪% 年代美国*TA 公司成功地将它应用于高密 的载体( 这一新的自由度的加入，大大丰富了微电子 度读写磁头，将磁盘记录密度提高了几十倍，现已进 学的研究内容，为大量新型器件的诞生提供了新的 入商品生产阶段( 巨磁电阻效应在磁传感器方面也 源泉( 有广阔的应用( 一些国际上著名的大公司正集中力 磁致电阻（AB ）指的是外磁场导致的电阻的变 化，通常定义为一个无量纲的比值： 量研制隧道磁电阻效应的磁