第1章节 半导体二极管及基本应用.ppt

1.1 半导体的特性（了解） 1.2 半导体二极管（掌握） 1.3 半导体二极管的基本应用举例（理解） 1.4 特殊二极管（了解） 1.5 二极管的分类及其选择（了解） 半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，分立元件电路和集成电路的基础。 本章讨论半导体的特性，PN结的单向导电性，二极管的结构，工作原理，特性曲线和主要参数 物质可分为： 导 体：?=10-4Ω.cm 如：铜，银，铝 绝缘体：?=109Ω.cm 如：橡胶，塑料 半导体其导电能力介于上面两者之间，常见的半导体就是4价元素的物质， 4价元素---原子最外层的轨道上均有4个价电子。 半导体又分为：元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）等； 化合物半导体：砷化镓（GaAs）等。 原子结构和共价键结构的简化模型 通常把非常纯净的、几乎不含杂质的且结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 在T=0K（相当于-273oC）时，半导体不导电，如同绝缘体一样。温度越高，导电性能越好。 温度越高，半导体材料中产生的自由电子越多。被束缚电子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空位，称此空位为空穴。 本征半导体中，自由电子和空穴成对出现，数目相同。本征激发所产生的电子空穴对如下图所示。 如下图所示，空穴（如图中位置1）出现以后，邻近的束缚电子（如图中位置2）可能获取足够的能量来填补这个空穴，而在这个束缚电子的位置又出现一个新的空位，另一个束缚电子（如图中位置3）又会填补这个新的空位，这样就形成束缚电子填补空穴的运动。为了区别自由电子的运动，称此束缚电子填补空穴的运动为空穴运动。此现象又称为本征激发现象。 结 论： （1）半导体中存在两种带电粒子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流，它们又被称为载流子。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴成对产生，数目相同而，所以半导体是呈电中性的。 （3）一定温度下，本征半导体中电子-空穴对的产生与复合相对平衡，电子-空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子-空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 在本征半导体中掺入少量的杂质就形成杂质半导体，杂质半导体的导电性能发生显著的改变。 根据掺入杂质的化合价的不同，杂质半导体分为: N型（电子型）半导体和P型（空穴型）半导体两大类。 1．N型半导体： 在4价硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等。 五价的元素具有五个价电子，它们进入由硅（或锗）组成的半导体晶体中，五价的原子取代四价的硅（或锗）原子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，因为多一个价电子不受共价键的束缚，很容易成为自由电子，于是半导体中自由电子的数目大量增加。自由电子参与导电移动后，在原来的位置留下一个不能移动的正离子，半导体仍然呈现电中性，但与此同时没有相应的空穴产生（忽略本征激发），如图所示。 三价的元素只有三个价电子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一个空位，邻近的束缚电子如果获取足够的能量，有可能填补这个空位，硅（或锗）原子组成的共价键因失去一个电子而形成一个新的空穴，呈现出带正电的空穴运动。同时，使得到电子的原子成为一个不能移动的负离子，但因有对应的空穴半导体仍然呈现电中性，但与此同时没有相应的自由电子产生，如下图所示。 1.2.1 PN结及其单向导电性 单纯的P型或N型半导体，仅仅是导电能力增强了，因此它还不是电子线路中所需要的半导体器件。若在一块本征半导体上，两边掺入不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成一层很薄的特殊导电层——PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。 1.PN结的形成 扩散运动---多数载流子因浓度上的差异而形成的运动，如下图所示。 由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如下图所示。在空间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因此又称空间电荷区为耗尽层。 2. PN结的单向导电性 如果在PN