第1章节.半导体二极管.ppt

第八章半导体二极管与三极管 8. 1半导体的基本特性与PN结 8. 2半导体二极管 8. 3半导体只极管 8. 1半导体的基本特性与PN结 8.1.1半导体基础知识 1.物质的导电性 在日常生活和生产实践中，有许多物质很容易导电，它们称做导体，如金、银、铜、铝、铁等金属材料;而有许多物质是不容易导电或完全不导电，它们称做绝缘体，如塑料、陶瓷、橡胶、玻璃等材料。还有一类物质，其导电能力介于导体和绝缘体之间，它们称做半导体，如硅、锗及大多数金属氧化物。 物质的导电性为什么有这样的差异呢?主要原因在于物质内部原子的结合方式及原子本身的结构不同。 8. 1半导体的基本特性与PN结 2.半导体的导电特性 半导体之所以引起人们注意并得到广泛应用，其主要原因并不在于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而在于它的导电能力在不同条件下(如掺杂、光照、受热)有很大的差别。根据这一特性，即可将半导体做成各种热敏元件、光敏元件、二极管、三极管及场效应管等半导体元器件。 8. 1半导体的基本特性与PN结 3.本征半导体 纯净的半导体称做本征半导体。锗和硅是应用最多的半导体材料，它们最外层都有四个价电子，也被称为四价元素。本征半导体的原子结构如图8. 1所示。 在本征半导体的晶体结构中，每个原子与相邻四个原子结合，每个原子的一个价电子与另一个原子的一个价电子组成电子对。这对价电子为两相邻原子所共有，构成共价键结构， 图8. 1锗和硅的原子结构 8. 1半导体的基本特性与PN结 如图8. 2所示。这样，每个原子的每一个价电子除了受到自身原子核的束缚外，还受到共价键的束缚。因此，每个价电子都处于较为稳定的状态。但是共价键的电子还不像绝缘体中的价电子被束缚得那样紧，在获得一定能量(光照或温升)后，即可挣脱束缚成为自由电子，温度愈高，晶体中产生的自由电子愈多。 图8. 2硅单体中的共价键结构 8. 1半导体的基本特性与PN结 值得注意的是，共价键中的电子成为自由电子后，同时留下一个空位，称为空穴。在正常情况下原子是中性的。当电子成为自由电子后，原子的中性被破坏而显出带正电。因此可以认为空穴带有正电荷。当相邻共价键中的价电子来填补这个空穴时，这个空穴便消失了，同时在相邻共价键中出现了 个新的空穴。这个新空穴可能还被别的共价键中的电子所填补，这种价电子接连不断地填补空穴的运动，相当于空穴自身的迁移运动，如图8. 3所示这种空穴的迁移运动和自由电子在共价键外的自由运动相似。因此把空穴看成是带正电荷的载流子。 图8. 3牢穴和自由电子的形成 8. 1半导体的基本特性与PN结 由此可见，半导体中存在两种载流子:带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体与金属导体在导电原理上的本质差别。 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。在一定温度条件下，电一空穴对的产生和复合达到动态平衡，于是半导体中维持一定数日的载流子。当温度升高子一空穴对的数日增多，导电性能增强。所以温度对半导体器件的导电性能影响极大子时。 8. 1半导体的基本特性与PN结 4.杂质半导体 本征半导体虽然有两种载流子，但在常温下其数量极少，导电能力很差。如果在其中掺入某种微量杂质元素，将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电性能大大增强。根据掺入的杂质不同，杂质半导体可分为两类:N型半导体和P型半导体。 8. 1半导体的基本特性与PN结 1)N型半导体 在四价元素硅或锗中掺入少量磷(或其他五价元素)，磷原子最外层有五个价电子。当硅晶体中某些位置上的硅原子被磷原子替代后，只需要四个价电子参加共价键结构，多余的一个价电子很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子，如图8. 4 ( a)所示。于是杂质半导体中的自由电子数日大大增加，自由电子导电成为这种杂质半导体的主要导电方式，故称这种杂质半导体为电子半导体或N型半导体。在N型半导体中，由电子是多数载流子(简称多子)，而空穴是少数载流子(简称少子)。 8. 1半导体的基本特性与PN结 2)P型半导体 在四价元素硅或锗中掺入少量硼(或其他三价元素)，硼原子最外层有三个价电子，当其构成共价键时，将因缺少一个电子而形成一个空穴，如图8. 4 ( b)所示。这样，在杂质半导体中形成大量空穴，空穴导电成为这种杂质半导体的主要导电方式，故称这种杂质半导体为空穴半导体或P型半导体。在P型半导体中，空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子。 图8. 4 P型和N型半导体结构示意图 8. 1半导体的基本特性与PN结 值得注意的是，无论是N型还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但整体上仍然呈中性。在外电场作用下，杂质半导体的导电能力有了较大的增强，但是它还是没有实用价值。只有将两种杂质半导体做成PN