第2章节 半导体器件(m).ppt

半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管 2、变容二极管 半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。 补充：判断三极管工作状态的三种方法。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 本章重点：PN结及其单向导电性 解释什么是负温度系数和正温度系数） 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 转移特性曲线(续) 2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS = 10 V VT 当 uGS VT 时： uGS = 2VT 时的 iD 值 开启电压 O 一个重要参数——跨导gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 二、 N 沟道耗尽型 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS = 0 时已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 iD， uGS ? VP 时，全夹断。 二、 N 沟道耗尽型 MOSFET（续） 输出特性 uGS /V iD /mA 转移特性 IDSS VP 夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS ? VP 时， uDS /V iD /mA uGS = ? 4 V ? 2 V 0 V 2 V O O 三、P 沟道 MOSFET 增强型 耗尽型 S G D B S G D B 增强型N 沟道 S G D B iD 增强型P 沟道 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA VT S G D B iD 耗尽型N 沟道 iD S G D B 耗尽型P 沟道 VP IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 FET 符号、特性的比较 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS VP O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V 2.4.3 场效应管的主要参数 开启电压 VT(增强型) 夹断电压 VP(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 VT VP 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O UGS(th) UGS(off) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /V iD /mA O 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q