第一章节：光电传感器.ppt

第一章:光电式传感器 1.2外光电效应器件 1.2.1光电管 1.2.2光电倍增管 1．2．1 光电管 入射光频率不同，阴极发射的光电子的数量也会不同，即同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同，所以，对各种不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极。 1．2．2 光电倍增管 光电倍增管的结构 与工作原理 光电阴极　　光电倍增极　　 阳极 倍增极是在镍或铜铍衬底上涂有锑铯等次发射材料，,这种材料在具有一定能量的电子轰击下,能产生更多的次级电子.并且电位逐级升高。 阴极发射的光电子以高速射到倍增极上，引起二次电子发射 。 二次电子发射系数 σ =二次发射电子数／入射电子数 若倍增极有n，则倍增率为σn。在105~106之间. .一个光子在阴极能够打出的平均电子数叫做光电阴极灵敏度.极间电压越高,灵敏度越高,但极间电压也不能太高,否则使阳极电流不稳. .由于环境温度、热辐射和其它因素的影响，即使没有光信号输入，光电倍增管加上电压后阳极仍有电流，称为暗电流。所以一般要使用光电倍增管时，必须把管子放在暗室里避光使用。 .光电倍增管可能受到人眼看不到的宇宙射线的照射，会有电流信号输出，称为本底脉冲。 1.3内光电效应器件 1.3.1 光敏电阻 1.3.2 光电池 1.3.3光敏二极管和光敏晶体管 1．3．1 光敏电阻1.结构和原理 2． 光敏电阻的特性 暗电阻和暗电流 光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。 亮电阻 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 光电流 亮电流与暗电流之差，称为光电流。 伏安特性 光照特性 光敏电阻的光电流与光强之间的关系 光谱特性 光敏电阻对不同波长的光，灵敏度是不同的 响应时间和频率特性 光电导的弛豫现象：光电流的变化对于光的变化，在时间上有一个滞后。 通常用响应时间t表示。 光敏电阻的频率特性 不同材料的光敏电阻具有不同的响应时间，所以它们的频率特性也就不尽相同。 温度特性 光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时，它的暗电阻和灵敏度都下降。 温度对光谱特性影响 随着温度升高，光谱响应峰值向短波方向移动。因此，采取降温措施，可以提高光敏电阻对长波光的响应。 1．3．2 光电池 光电池在有光线作用下实质上就是电源，电路中有了这种器件就不再需要外加电源。 光电池种类很多，有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等等。 （1）光谱特性 光电池对不同波长的光，灵敏度是不同的，可见硒光电池适用于可见光，常用于照度计。故在实际应用中，要根据光源频率选光电池，或根据光电池选光源。 (2)光照特性 不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的。 光电池的短路电流 外接负载电阻相对于它的内阻来说很小情况下的电流值。 (3)频率响应 指输出电流随调制光频率变化的关系 (4)温度特性 开路电压和短路电流随温度变化的关系。 关系到应用光电池的仪器的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标 1.3.3 光敏二极管和光敏晶体管 结构与一般二极管相似，装在透明玻璃外壳中 在电路中一般是处于反向工作状态的 2.光敏三极管 与一般晶体管很相似，具有两个pn结。把光信号转换为电信号同时，又将信号电流加以放大。 （1）光谱特性 （2）伏安特性 （3）光照特性 （4）温度特性 其暗电流及光电流与温度的关系 （5）频率响应 具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系，频率特性受负载电阻的影响较大，减小负载电阻可以提高频率响应。 1.4新型光电器件 APD对光电流的放大作用基于电离碰撞效应,其结构为在PN结的P区外侧增加一层掺杂浓度极高的P＋层，其上加高反偏电压，产生极强的内部加速电场。当光照时，P＋层受光子能量激发的电子，在强电场的作用下，高速通过P层，并在P层产生碰撞电离，形成大在量的二次光电子，它们同样从电场获得高能量，并再次碰撞其它原子，产生更多新生的电子空穴对。 因此APD具有较高的响应度和内部增益，这种内部增益提高了器件的信噪比。APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。目前很多光器件专家对APD的前景十分看好，认为APD的研究对于增强相关领域的国际竞争力，是十分必要的。 1.4.3色敏光电传感器 双结光电二极管的P＋N结为浅结，NP结为深结。当光线照射时，三个区域均有光子吸收，但吸收效率不同。紫外光部分吸收系数大，经过很短距离就基本吸收完毕，因此浅结对紫外光灵感。而红外光部分吸收系数小，这类波长的光子主要在深结处被