第三章节 门电路(new).pptVIP

1 3.1 　概述 PN结的形成 PN结的单向导电性 （2） PN 结加反向电压（反向偏置） 2. 半导体二极管的伏安特性 3.2.2 二极管与门电路 3.2.3 二极管或门电路 3.3 CMOS门电路 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 3. 电流传输特性 3.3.4 其他类型的CMOS门电路 2. 漏极开路输出门电路（OD门）P94 3. CMOS传输门和双向模拟开关 利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。 4. 三态输出的 CMOS门电路 3.3.5 CMOS电路的正确使用 1） 输入特性 3、TTL反相器的电压传输特性 3.5.3 TTL反相器的动态特性（门电路状态切换时所呈现的特性） 2. 集电极开路门（OC门） 说明： 开关C，E 控制量iB 为使BJT工作在饱和状态，必须iBIBS。 4.三极管的动态开关特性 开关的切换需要时间 当基极施加一矩形电压uI时 截止到饱和所需的时间称为开启时间ton，它基本上由三极管自身决定。 iC uCE uI iB T Rc RB UCC uO UIH uI iC uO UIL ICS 0 Ucc UCES ton toff 饱和到截止所需的时间称为关闭时间toff，它与饱和深度S有直接关系，S越大toff越长。 5. 三极管反相器（非门）(Y=A) 设三极管的β=20；UCES=0.3V，UBES=0.7V，UIL=0.3V，UIH=3.2V （一）逻辑功能分析 1) 当uI=UIL=0.3V，即：A=0时 假设三极管截止 T RC R1 UCC=5V R2 4.7K UBB=-5V uo uI 10K 56K E B C uO=UOH=5V，即 Y=1 说明：UBB加负电源，是为了保证当输入端加低电平时，三极管能可靠的截止。 UBE0.5V，三极管截止，假设成立，iC≈0 iC 0.3V 5V A Y 2) 当uI=UIH=3.2V，即：A=1时 假设三极管饱和，UBES=0.7V，UCES=0.3V 可见：iBIBS ，即假设成立 uO=UOL=UCES=0.3V，即 Y=0 它是一个非门（也称反相器） R1 R2 UBB=-5V uI 10K 56K 0.7V 3.2V 3.2V i1 i2 iB 实现了逻辑非： Y = A T RC R1 UCC=5V R2 4.7K UBB=-5V uo uI 10K 56K E B C ICS 3.5.1　TTL反相器的电路结构及工作原理 3.5 TTL 门电路 3.5.4 TTL反相器构成的其它门电路 3.5.2 TTL反相器的输入特性和输出特性 3.5.3 TTL反相器的动态特性 3.5.1 TTL反相器的电路结构及工作原理 1. TTL反相器的电路结构 2. TTL反相器的工作原理 3. 电压传输特性 4. 输入端噪声容限 1、TTL反相器的电路结构 T1是输入级， T2是倒相级， T4 、T5 是输出级。 D1起保护作用，它既可以抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲，又可以防止输入电压为负时T1的发射极电流过大。 VCC R1 R2 R4 T4 D2 T5 R3 D1 T1 T2 vo vI Y A 输入级 倒相级 输出级 T1发射结导通 vB1=0.3V+0.7V=1V T2和T5均截止 T4和D2导通 输出高电平 VOH =VCC –vBE4-vD2 ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V VCC R1 R2 R4 T4 D2 T5 R3 D1 T1 T2 vo vI Y A （1）vI=VIL时 vO=VOH 3.6V 0.3V 设VIL=0.3V，VIH=3.2V 2、TTL反相器的工作原理 1V （2）vI=VIH时 VCC R1 R2 R4 T4 D2 T5 R3 D1 T1 T2 vo vI Y A vC2=VBES5+VCES2≈0.7+0.3=1V 可见输出和输入之间是反相关系，即 ：Y=A 输出为低电平 空载输出时约为0.3V 3.2V 1.4V 1V 0.7V 0.3V vO=VOL vI=3.2V vB1=4.1V T2，T5导通→vC1=1.4V → vB1=2.1 vB1=2.1 T2导通 vC2降低→T4，D2截止 vE2升高→T5导通 2.1V Y A 逻辑符号 VCC R1 R2 R4 T4 D2 T5 R3 D1 T1 T2 vo vI Y A T4和T5总是一管导通而另一 管截止，这种工作方式称为推拉 式工作方式。 （3）推拉式输出级 优点： 1）