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静电放电和测试中的隐性损伤特性 -摘要：多种应力产生的慢性损耗对静电放电特性和测试有显着影响。本文从这TLP、HMM和CDM模型在产品和结构的试验结果举例说明。隐性损伤会导致较低的失效电压，为获得正确的失效电压应尽量减少隐性损伤的影响。 一、引言 本文讨论了ESD测试中的重复效应，当设备或组件的失效水平取决于所施加的脉冲的数目时，可以观察到重复效应。本文将表明，具有TLP和VF-TLP特性的脉冲数可能会对结果有显着的影响。随着脉冲数的增加会观察到的性能下降。我们称之为隐性损伤。此外,本文表明, 在产品质量的评估方法上隐性损伤的现象也可能变得更加明显,如HMM、CDM模型，但重要与否取决于的质量目标和产品应用的目的。 事实上，静电放电的隐性损伤一直是一个经常争论的话题。早在1983的一项研究对一个半导体保护使用了（200 pF，100Ω）脉冲，实验表明随着脉冲数增加失效电压缓慢的降低，这个数据发表没有经过讨论。在1991年，作者针对HBM测试的局限性重新使用该数据，他得出的结论是，使用多个HBM、MM脉冲可以揭示保护设计的弱点，但3种脉冲也可以掩盖早期的失效现象。 在大多数的研究中所使用的脉冲的数目是相当有限的，通常小于30。得出的结论是不同的：一种认为使用多个脉冲没有影响或降低失效水平或提高失效水平（应力硬化）。另一项研究声称，使用多个脉冲对ESD性能没有影响，但导致较高的EOS（