光伏技术12砷化镓太阳能电池.pdfVIP

• 电池材料和器件设计 • Ⅲ- Ⅴ族化合物及太阳电池的特点 • Ⅲ- Ⅴ族化合物及太阳电池的制备工艺 • Ⅲ- Ⅴ族化合物太阳电池的结构 1. 电池材料和器件设计 1.1 半导体材料 太阳能电池对半导体材料的选择 有一定要求： 1. η ≥ 30 %, 1 eV Eg 1.6 eV; 2. 太阳能半导体材料要有成熟的 半导体工艺，易于制备高纯度 的掺杂半导体。 3. 有较大的量子效率，使少子 不同带隙Eg半导体材料对应的理论效率 扩散长度L ，L 大于吸收长 n p 度1/α。 1.2 p-n结的设计 大多数高纯度的太阳能电池设计为p-n 同质结。 器件设计要素：p-n/n-p结的选择，空间电荷区宽度，掺杂浓度， 电池厚度，表面处理和电极设计等。 ⅰ. 电池厚度要大于吸收长度1/α ⅱ. 相比发射极的少子扩散长度L 和吸收 P-n 同质结设计