半导体物理复习要点的答案.docVIP

一、填充题 1. 两种不同半导体接触后,? 费米能级较高的半导体界面一侧带 正 电达到热平衡后两者的费米能级 相等 。 2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 【100】 方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 间接带隙 半导体。 3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 空位 间隙原子 ； 线缺陷，如 位错 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克耳缺陷 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷 。 5． 浅能级 杂质可显著改变载流子浓度； 深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。 6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 施主能级 ，又能取代砷而表现为 受主能级 ，这种性质称为杂质的双性行为。 7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 氧空位 ， 从而可获得 n型 ZnO半导体材料。 8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为 1/2 ，高于费米能级2kT能级处的占据概率为 1/1+exp(2) 。 9．本征半导体的电阻率随温度增加而 单调下降 ，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后 上升至最高点 ，再单调下降。 10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）空间布里渊区的 【100】 方向。 12. 受主杂质的能级一般位于 价带顶附近 。 13. 有效质量的意义在于它概括了半导体 内部势场 的作用。 14. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 弗仓克耳缺陷 。 15. 除了掺杂， 引入缺陷 也可改变半导体的 导电类型。 16. 回旋共振 是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段。 17. PN结电容可分为 势垒电容 和扩散电容两种。 18. PN结击穿的主要机制有 雪崩击穿 、隧道击穿和热击穿。 19. PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是 正向电压 电压。 20.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的 二阶导数 ，引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的 内部势场 的作用。 21. 从能带角度来看，锗、硅属于 间接带隙 半导体，而砷化稼属于 直接带隙 半导体，后者有利于光子的吸收和发射。 22．除了 掺杂 这一手段， 通过引入 引入缺陷 也可在半导体禁带中引入能级，从而改变半导体的导电类型。 23. 半导体硅导带底附近的等能面是沿 【100】 方向的旋转椭球面，载流子在长轴方向（纵向）有效质量ml 大于 在短轴方向（横向）有效质量mt。 对于化学通式为MX的化合物半导体，正离子M空位一般表现为 受主杂质 ，正离子M为间隙原子时表现为 施主杂质 。 25. 半导体导带中的电子浓度取决于导带的 状态密度 （即量子态按能量如何分布）和 费米分布函数 （即电子在不同能量的量子态上如何分布）。 26．通常把服从 玻尔兹曼分布 的电子系统称为非简并性系统，服从 费米分布 的电子系统称为简并性系统。 27．