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开关电源变压器模型与设计 Q:看不到 A:请使用IE浏览器观看，我们使用的是系统自带的windows media 播放器！ Q:大家有问题可以在10点30以后开始提问。 A:欢迎大家踊跃提问！ Q:资料怎么下载 A:资料下载将在直播结束后可以下载！敬请关注！ Q:正激和反激的区别主要在哪? A:反激电路比较简单，元件少，比正激电路少一个电感和一个二极管，但是变压器比较复杂，是理想变压器与电感的集成。而且反激电路输出电流纹波比较大，输出电容的压力也比较大。因此反激电路一般适用于小功率，如100瓦以下的应用场合。但是如果设计得好，功率和效率也可以比较高的。 Q:陈教授，您好！ 离线反激开关电源，24W输出，AC85-265V输入，采用TOP224Y，频率100K，初级感量约1233uH，初级漏感：2.4%（30uH），当85V满载时，室温下磁芯温升较大，约40度，线圈温升约50度，请问，如何有效降低磁芯和线圈温度？谢谢 A:可能线圈匝数设计不合理。因为线圈温升高，铁芯温升低，因此可以适当减小绕组匝数，使得磁芯损耗增加一些，而绕组损耗降低一些，从而更好地平衡一下绕组损耗和磁芯损耗。使得反激变压器的总损耗降低。 Q:恒流输出跟恒压输出，对变压器的设计有影响吗？ A:没有影响，只是控制上有不同。 Q:变压器初次及之间加覆铜屏蔽是为了减少分布电容。那是不是会增加漏感？ A:加铜箔屏蔽是为了减小初次级之间的耦合电容，从而降低共模噪声。但是会增加一些漏感，因为初次级绕组之间的距离会增大，从而增大了之间的漏感。 Q:请问，陈为老师的这个讲课视频能下载吗？，我这里看起卡得很。 A:这些资料我这里是开放的。具体请与中国电源学会21世纪电源网联系。 Q:陈为博士你好。变压器中柱开气隙，与两边开气隙有什么区别。若只是中柱开气隙，只开一边与两边都开，对变压器有什么影响？ A:在两边开气隙的好处是每个气隙比较小，气隙引起的扩散磁通效应就比较小，从而有助于降低绕组涡流损耗。但是在边柱开气隙，磁场会扩散到周围的空间，会造成近场辐射和近场耦合。而在中柱开气隙，由于气隙磁场被绕组包住，因此没有近场磁场扩散的问题。第二个问题不很明了，如果只是在一个边柱开气隙，而另外一个边柱不开气隙，这样是不行的，磁通就都往没有开气隙的那个边柱走了，这个边柱的磁芯就饱和了。 Q:加了铜箔屏蔽 那是不是空载功耗也大了？ A:是的。因为铜箔是位于原、副边之间，是磁场最大的地方，因此铜箔会有涡流邻近效应，造成损耗增加。因为即使在空载下，这个磁场也存在，因此会带来空载损耗的增加。 Q:请问Z型绕法与 C型绕法哪个好？ A:Z型绕法的分布电容比较小，因为这样绕组层间的电位差比C型绕法小，但是Z型绕法复杂些。 Q:对于小功率电源，没有设计功率因素，那请教您一下，怎么提高功率因素？ A:可以采用无源PFC滤波器电路。 Q:陈为博士你好绕组屏蔽与铜箔屏蔽有什么区别？绕组屏蔽的时候，为什么很多时候都把屏蔽绕组放在最里层？ A:对不起，没明白什么是绕组屏蔽。 Q:高频开关电源的高频变压器可以在哪儿定制？？？ A:上网查厂家。 Q:屏蔽层是接在原边还是副边？？？放在那边更好？为什么？ A:一般接在原边的“地”，因为主要是屏蔽原边的电磁噪声。 Q:功率100W的开关电源升压电路，采用哪种变换好？18V变换成36V. A:反激啊。 Q:感谢陈为老师，给我的感觉：听君一席话，胜读十年书！！！幸苦了 A:多谢！ Q:陈为老师，变压器初次间的绕组，加一个Y电容，做什么用的？ A:降低共模噪声。 Q:陈为老师，变压器的模型，使用ANSYS建的么？ A:ANsoft或Ansys都可以做电磁场分析的。 Q:从上面的讲义，是不是屏蔽层不用完全将初次级隔开，短一点不影响屏蔽效果？ A:意思是并不是完全将原、副边绕组隔开是最好的。部分屏蔽可能效果更好，但这要具体分析。 Q:初级与次级间加屏蔽层，初次级间与屏蔽层的耐压遵循什么样的规律呢，是漏电流越小越好，耐压值越高越好吗？ A:满足安规标准就可以了。 Q:增加变压器屏蔽层是否能减小分布电容降低绕组损耗？ A:能减小变压器原、副边之间的分布耦合电容，但是不能降低绕组损耗。 Q:陈老师，大功率全桥软开关电源，变压器开气息和不开气息我在实际产品中都用过，但是我不太理解的是，貌似没有多大的区别的，请问到底要不要开气息呢？ A:对全桥软开关电路，变压器的激磁电感大小会影响软开关的工作特性。因此需要适当的激磁电感。而开一点气隙就是为了获得一定的激磁电感，但气隙太大，激磁电感太小，也不好，反而增加电流峰值，增加了开关损耗。因此气隙要合适。