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_______________ 称本征半导体。 杂质半导体分________型半导体和_______型半导体，前者中多数载流子是__________，少数载流子是_______，后者中多数载流子是________，少数载流子是___________。 本征硅中若掺入5价元素的元素，则多数载流子应是___________，掺杂越多，则其数量一定越__________，相反，少数载流子应是___________，掺杂越多， 则其数量一定越__________。 P区侧应带______，N曲一侧应带______。空间电荷区内的电场称为________，其方向从_____指向_______。 在PN结两侧外加直流电压，正端与P区相连，负端与N区相连，这种接法称之为PN结的________偏置。 半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，而输出特性曲线可以划分为三个工作区域，它们是________区、________区和________区。 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升高时，半导体三极管的β值________，ICBO值________，UBE值________。 半导体三极管能够放大信号，除了内部结构和工艺特点满足要求外，还必须具备的外部工作条件是________。 工作在放大区的某晶体管，当IB从20微安增大到40微安时，Ic从2毫安变为4毫安，它的β值约为________。 半导体三极管的三个极限参数是________、________、________。 NPN型硅三极管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为________；基极和发射极电位之差约等于________ 。 半导体三极管从结构上分可以分为________型和________型两大类，他们工作时有________、________两种载流子参与导电。 在用万用表测量二极管的过程中，如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω，说明该二极管内部已________；如果所测得的正反向电阻都为 ，说明该二极管已________。 在如图所示电路中，若仅是RL___________(增大?减小?或不变?)，输出电阻值将___________(增大?减小，或不变?)。 ic B、ucE C、iB D、iE 检查放大电路中的晶体管是否饱和的最简便的方法是测量（ B ） A、IBQ B、VBEQ C、ICQ D、VCEQ 某放大电路，要求稳定电压且输入电阻大应引入（ A ）负反馈。 A、电压串联 B、电流并联 C、电压并联 D、电流串联 如图3-56，一只标有“220V，100W”的灯泡，当把它接在图中所示的电路中，其消耗的功率为（ C ）。 A、100W B、50W C、20.25W D、10.5W 两级放大电路第一级的电压增益为48，第二级的电压增益为12，则两级总的电压增益为（ A ） A、60 B、30 C、36 D、18 下列器件符号中，（ A ）器件具有放大作用。 电路如图3-16所示，已知两个稳压管的=5V、=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压为 （ C ）。 A、5伏 B、7.7伏 C、12伏 D、5.7伏 某人用万用表测量一电子线路中的晶体管测得= -3V、VCE=6V、VBC = -5.4V，则该管是（ C ）。 A、PNP型，处于放大工作状态 B、PNP型处于截止工作状态 C、NPN型，处于放大工作状态 D、NPN型处于截止工作状态 关于理想运算放大器的错误叙述是 （ A ）。 A、输入阻抗为零，输出阻抗也为零 ； B、输入信号为零时输出处于零电位； C、频带宽度从零到无穷大 ； D、开环电压放大倍数无穷大； 半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（ B ）。 A、PN结的单向导电性 B、PN结的反向击穿特性 C、PN结的正向导通特性 D、PN结的反向截止特性 在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是（ B ） A、变交流电为直流电 B、去掉脉动直流电中的脉动成分 C、 将高频变为低频 D、将正弦交流电变为脉冲信号 射极输出器是一种（ C ）负反馈放大器。 A 、 电压并联 B 、 电流串联 C 、 电压串联 D 、 电流并联 集成运放内部电路的耦合方式是（ A ） A、直接耦合 B、变压器耦合 C、阻容耦合 D、电容耦合 某二极管反向击穿电压1