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笔试(数字、模拟、fpga)
EE笔试/面试题目集合分类--IC设计基础???1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念)。(仕兰微面试题目)2、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知)答案:FPGA是可编程ASIC。ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么?
基尔霍夫定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等。基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零(仕兰微电子)2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。(未知)3、最基本的如三极管曲线特性。(未知)4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子)
反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。
反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。
5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈馈 的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知)6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?
不同的电路或者说不同的元器件对不同频率的放大倍数是不相同的,如果输入信号不是单一频率,就会造成:(例子)高频放大的倍数大,低频放大的倍数小,结果输出的波形就产生了失真。
从电路的原理图考虑:1、电阻的阻值大小和精度,熔点等2、电阻能承受的最大电流和最大的电压,电阻的功率
从生成的PCB考虑:
1、电阻的封装,即是否满足实际安装的需要。
CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管还是N管,为什么?(仕兰微电子)用N管。
N管传递高电平,P管传递低电平。
N管的阈值电压为正,P管的阈值电压为负。
在N管栅极加VDD,在漏极加VDD,那么源级的输出电压范围为0倒VDD-Vth,因为N管的导通条件是VgsVth,当输出到达VDD-Vth时管子已经关断了。所以当栅压为VDD时,源级的最高输出电压只能为VDD-Vth。这叫阈值损失。N管的输出要比栅压损失一个阈值电压。因此不宜用N管传输高电平。
P管的输出也会比栅压损失一个阈值。同理栅亚为O时,P管源级的输出电压范围为VDD倒|Vth|。因此不宜用P管传递低电平。即压控振荡器,是射频电路的重要组成部分。锁相环主要由相位比较器(PC)、压控振荡器(VCO)、低通滤波器三部分组成工作原理首先考虑两种极限情况:当vI处于逻辑0时 ,相应的电压近似为0V;而当vI处于逻辑1时,相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管 TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是,由于电路是互补对称的,这种假设可以是任意的,相反的情况亦将导致相同的结果。 下图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS(vGSN=VDD)(注意vDSN=vO)上 ,叠加一条负载线,它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD-vSD。由于vSGP<VT(VTN=|VTP|=VT),负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然,这时的输出电压vOL≈0V(典型值<10mV ,而通过两管的电流接近于零。这就是说,电路的功耗很小(微瓦量级)下图分析了另一种极限情况,此时对应于vI=0V。此时工作管TN在vGSN=0的情况下运用,其输出特性iD-vDS几乎与横轴重合 ,负载曲线是负载管TP在vsGP=VDD时的输出特性iD-vDS。由图可知,工作点决定了VO=VOH≈VDD;通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。由此可知,基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元,其输出电压接近于零或+VDD,而功耗几乎为零。异步电路主要是组合逻辑电路,用于产生地址译码器、FIFO或RAM的读写控制信号脉冲,但它同时也用在时序电路中,此时它没有统一的时钟,状态变化的时刻是不稳定的,通常输入信号只在电路处于稳定状态时才发生变化。也就是说一个时刻允许一个输入发生变化,以避免输入信号之间造成的竞争冒险。电路的稳定需要有可靠的建立时间和持时间,待下面介绍。
????? 同步电路是由时序电路
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