霍尔测量磁场综合实验指导指南.pdfVIP

实验二：霍尔测量磁场综合实验 霍耳元件因其体积小，使用简便，测量准确度高，可测量交、直流磁场等优点，已广泛 用于磁场的测量。并配以其他装置用于位置、位移、转速、角度等物理的测量和自动控制。 本实验仪主要帮助学生了解霍耳效应的实验原理，测量霍耳元件的灵敏度，并学会用霍尔元 件测绘载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布和螺线管磁场分布 一、实验目的 1. 掌握霍尔元件的工作原理。 2. 学习用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 3. 学习用霍尔元件测绘载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布。 4. 学习用霍尔元件测绘螺线管磁场分布。 二、实验原理 1. 霍尔效应的基本原理 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当 带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上 产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图 2-1 所示的半导体试样，若在 X 方 向通以电流I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样 A 、A′电极两侧就开始聚积异号电荷 而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载流子继 续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力eEH 与洛仑兹力evB 相等时，样品两侧电荷的积 累就达到平衡，故有： (2-1) eE evB H 其中，EH 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则 I S nevbd (2-2) 由(2-1)、(2-2)两式可得： 1 I B I B V E b ⋅ S R S (2-3) H H H ne d d 即霍尔电压V （A 、A′电极之间的电压）与I B 乘积成正比，与试样厚度d 成反比。比例系 H S 数RH 1/ (ne ) 称为霍尔系数，它是反映材料的霍尔效应强弱的重要参数。 霍尔器件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件。对于成品的霍尔器件，其中RH 和 d 已知，因此可将(2-3)式写成 V K I B (2-4) H H S 图2-1 半导体样品霍尔效应示意图 其中KH RH / d ，称为霍尔器件的灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器件在单位工 作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。(2-4)式中的单位取I S 为 mA 、B 为 KGS −4 （1GS 10 T ），V 为 mV ，则K 的单位为mV/(mA⋅KGS) 。根据(2-4)式，因K 已知，而I