课件第4章半导体器件.pptVIP

例 4.2.7 分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R 当 UI 波动时(RL不变) ? ? ? 反之亦然 当 RL 变化时(UI 不变) 反之亦然 UI UO R RL IL IR IZ 2. 发光二极管与光电二极管 ⑴发光二极管 LED (Light Emitting Diode) ① 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V ② 主要参数 电学参数：I FM ，U(BR) ，IR 光学参数：峰值波长 ?P，亮度 L，光通量 ? 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 ，点阵 LED 符号 u /V i /mA O 2 特性 七段 LED 第 1 章 半导体二极管 第 1 章 半导体二极管 点式LED 字段式LED 点阵式LED 光柱式LED ⑵光电二极管 ①符号和特性 符号 工作条件： 反向偏置 ② 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 第 1 章 半导体二极管 实物照片 特性 暗电流 u i O E = 200 lx E = 400 lx 光电流 照 度 增 大 补充：选择二极管限流电阻 步骤： 1. 设定工作电压(如 0.7 V; 2 V (LED); UZ ) 2. 确定工作电流(如 1 mA; 10 mA; 5 mA) 3. 根据欧姆定律求电阻 R = (UI ? UD)/ ID (R 要选择标称值) R UI UD ID 第 1 章 半导体二极管 半导体二极管的识别与检测 1. 目测判别极性 触丝 半导体片 4.2.3 半导体二极管特性的测试与应用 2. 用万用表检测二极管 在 R ? 1 k 挡进行测量， 红表笔是(表内电源)负极， 黑表笔是(表内电源)正极。 测量时手不要接触引脚。 (1)　用指针式万用表检测 一般硅管正向电阻为几千 欧，锗管正向电阻为几百欧。 正反向电阻相差小为劣质管。 正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。 ?1k ? 0 ? 0 ? 0 (2) 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200 ? 在 挡进行测量，当PN结完好且正偏时，显示值为PN结两端的正向压降 (V)。反偏时, 显示 ? 。 作 业 10.5、10.6、10.7、10.9 课后练习 10.1、10.2 4.3.1 半导体三极管 4.3.2 场效应管 4.3 三极管 (Semiconductor Transistor) (Bipolar Junction Transistor) 4.3.1 半导体三极管 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 二、电流分配及放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向集电结方向扩散并漂移过集电结形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集漂移过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 三极