ch4_双极结型晶体管(npn).pdf

第一部分 半导体器件 第四章 双极结型晶体管 郑 新 和 1 第四章 双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor) 4.1 BJT基本组成和符号描述 4.2 基本工作原理 4.3 载流子分布和电流增益参数 4.4 非理想因素 4.5 晶体管的瞬态行为 4.6 其它双极晶体管器件 2 BJT是三端器件，具有电流放大作用，其高速性 能突出。近二十年来，MOSFET 由于其低功耗、 易于集成的特点，使得BJT 的突出地位受到了严 重挑战，但它在高速计算机、火箭和卫星、现代 通信和电力系统方面仍是关键器件。而且，随着 异质结双极晶体管(HBT) 的实现，双极晶体管技 术也有了突破性进展，这类器件有希望保持其在 速度方面的优势。 3 4.1 BJT基本组成和符号描述 • 基本组成：3个掺杂不同的扩散区(分别对应发射区、基 区和集电区)和2个pn结 (a)npn 晶体管和电路符号； (b)pnp 晶体管和电路符号。 问题：如何看待电路符号的区别，即E 的箭头方向？pn结和晶体管类型 问题：如何在很薄的基区做基极接触？ 4 • 在IC 电路中结构组成  引线位置( 皆在表面上，与分立 器件有所不同：集电极在底部) ； +  重掺杂n 掩埋层( 降低发射区下 面的集电区到右边集电极接触 的电阻) ； +  器件隔离(使用p 形成反偏pn 结 和衬底采用最低的负电位形成 衬底p-n 阱结反偏；使用大的氧 BJT制作在p衬底上的n 阱中 化区) ； 晶体管分析前提：直接使用pn结的结果 5 • 各区浓度和厚度  发射区重掺杂，基区中等程度掺杂，集电区一般掺杂；  基区很薄，宽度小于少子扩散长度； +  n 埋层为集电区的接触层 6 • 热平衡能带图 对npn 晶体管，假设如下： 由于每个区域皆均匀掺杂，这种晶体管叫做原型晶体管。 7 • pnp