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chapt5-1-清华大学半导体物理

第五章 过剩载流子及其复合 非平衡条件下,半导体中载流子的产生、复合 及其运动规律—半导体器件的工作基础。 知识点(核心:连续性方程) • 过剩载流子的产生及其寿命 • 准费米能级 • 费米能级的恒定性 • 非平衡载流子的运动和分布服从的规律:半 导体基本方程(连续性方程) • 过剩载流子的复合 1 半导体的许多重要现象(少子注入、光电导、光发 射等)都和过剩载流子相联系。 §5.1 过剩载流子及其寿命 热平衡和非平衡的概念(1 ) 稳态:观察的性质(宏观)不随时间变化。 热平衡:考察的系统和外界环境的热能转化为零(系统 中的粒子(电子)的动能的宏观平均值在时间和空间保 持恒定)。 非(热)平衡电子系统的特征:电子按能量的分布不服 从费米分布。 2 5.1.1 过剩载流子及其产生 热平衡条件下,某一材料的载流子浓度n0和p 0 由温度 决定(EF位置由温度唯一确定)。热平衡是一种动态平 衡(产生和复合、带内跃迁)。 外界作用引起附加的产生(或复合)率,载流子浓度 超过(或低于)热平衡值。这时,半导体处于非热平衡 状态,相应的导带(全部 )电子和价带空穴称为非平衡 载流子。用 n 和p 表示非平衡电子和空穴浓度。 多子和少子 n型半导体,n p 。电子为多数载流子,简称多子; 0 0 空穴为少数载流子,简称少子。 p型半导体,p n 。空穴为多子,电子为少子。 0 0 3 过剩载流子 如图光照一n型半导体,体内产生电子-空穴对,达到 非热平衡稳态。n 、p 为非平衡载流子浓度,n0 、p 0为平 衡载流子浓度,定义: Δn n −n0 ⎫ ⎬ (5.1) Δp p −p 0 ⎭ Δn 、Δp 为过剩载流子浓度。指数量 上超过平衡值的那部分载流子的浓度. 对于本征激发产生,有 Δn Δp 4 小注入和大注入 小注入条件:Δn 、Δp ( n0 + p 0 ) 大注入条件:Δn 、Δp ( n0 + p 0 ) 小注入,过剩载流子对少子影响大,对多子影响小。 例:300K ,Si,n 10 3 15 3 i ≈10 /cm ,ND=10 /cm 。 15 3 2 5 3 n = N = 10 /cm p = n / n = 10 /cm 。 0 D 0 i 0 若Δn= Δp =1010 3 /cm ,满足Δn 、Δp ( n0 + p 0 )的小 注入条件,这时: n = n + Δn ≈n 0 0 p = p 0 + Δp ≈ Δp 即非平衡少子浓度 ≈过剩少子浓度; 非平衡多子浓度 ≈ 平衡多子浓度。

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