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chapt5-1-清华大学半导体物理
第五章 过剩载流子及其复合
非平衡条件下,半导体中载流子的产生、复合
及其运动规律—半导体器件的工作基础。
知识点(核心:连续性方程)
• 过剩载流子的产生及其寿命
• 准费米能级
• 费米能级的恒定性
• 非平衡载流子的运动和分布服从的规律:半
导体基本方程(连续性方程)
• 过剩载流子的复合
1
半导体的许多重要现象(少子注入、光电导、光发
射等)都和过剩载流子相联系。
§5.1 过剩载流子及其寿命
热平衡和非平衡的概念(1 )
稳态:观察的性质(宏观)不随时间变化。
热平衡:考察的系统和外界环境的热能转化为零(系统
中的粒子(电子)的动能的宏观平均值在时间和空间保
持恒定)。
非(热)平衡电子系统的特征:电子按能量的分布不服
从费米分布。
2
5.1.1 过剩载流子及其产生
热平衡条件下,某一材料的载流子浓度n0和p 0 由温度
决定(EF位置由温度唯一确定)。热平衡是一种动态平
衡(产生和复合、带内跃迁)。
外界作用引起附加的产生(或复合)率,载流子浓度
超过(或低于)热平衡值。这时,半导体处于非热平衡
状态,相应的导带(全部 )电子和价带空穴称为非平衡
载流子。用 n 和p 表示非平衡电子和空穴浓度。
多子和少子
n型半导体,n p 。电子为多数载流子,简称多子;
0 0
空穴为少数载流子,简称少子。
p型半导体,p n 。空穴为多子,电子为少子。
0 0
3
过剩载流子
如图光照一n型半导体,体内产生电子-空穴对,达到
非热平衡稳态。n 、p 为非平衡载流子浓度,n0 、p 0为平
衡载流子浓度,定义:
Δn n −n0 ⎫
⎬ (5.1)
Δp p −p 0 ⎭
Δn 、Δp 为过剩载流子浓度。指数量
上超过平衡值的那部分载流子的浓度.
对于本征激发产生,有 Δn Δp
4
小注入和大注入
小注入条件:Δn 、Δp ( n0 + p 0 )
大注入条件:Δn 、Δp ( n0 + p 0 )
小注入,过剩载流子对少子影响大,对多子影响小。
例:300K ,Si,n 10 3 15 3
i ≈10 /cm ,ND=10 /cm 。
15 3 2 5 3
n = N = 10 /cm p = n / n = 10 /cm 。
0 D 0 i 0
若Δn= Δp =1010 3
/cm ,满足Δn 、Δp ( n0 + p 0 )的小
注入条件,这时:
n = n + Δn ≈n
0 0
p = p 0 + Δp ≈ Δp
即非平衡少子浓度 ≈过剩少子浓度;
非平衡多子浓度 ≈ 平衡多子浓度。
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