硅晶体生长及缺陷形成与控 制-lecture for undergraduates2014.pdfVIP

硅晶体生长、缺陷形成与控制 基本原理要点 2014. 12. 08/15 结晶原理－基本问题之一  为什么物质在凝固或凝结时会结晶（原子 排队）？ － 原子间作用势能 2原子体系，3原子体系，。。。 结晶原理－基本问题之一  为什么物质在凝固或凝结时会结晶（原子 会排好队）？ 势 能 原子间距 原子间作用势能 2原子体系，3原子体系，。。。 基于Si 原子间相互作用力与牛顿力学计算模拟再现的Si 晶体凝固结晶生长过程 （分子动力学模拟）  为什么温度决定结晶与否 ？（排队还是解散） 能量降低是自然趋势、是天性 混乱度增加（熵增加）也是自然趋势、是天性 平衡状态由自由能最小决定 F = U- TS 平衡结晶点/熔点这样来的 F 液态 结晶态 T T m － 力学观点（微观）与热力学（宏观）观点 经典理论 殊途同归 结晶原理基本问题之二  结晶形核与生长 – 为什么温度降到了结晶点还不 会凝固结晶？而要过冷一些…几度到几百度。 万事开头难 （谁也不愿先排队） 凝固结晶分为 形核 与 生长 两个过程： 一旦先形成了稳定晶核，再在它（们）上面长就 容易了，而且排法跟着晶核走 （如果没有干扰的话！） （和人、社会何其相似！） 形核困难，多依靠已有固相表面，如模壁、 夹杂、外加形核剂、仔晶的表面 所以…单晶、多晶、定向、模壁作用、粗晶、 细晶、形核剂、人工降雨… 结晶原理基本问题之三  结晶生长微观过程 – 液相中的原子如何在已有晶体上排队 ？ 结晶生长速率及生长形态取决于生长微观过程（微观机制） ，而微观机制又取决于液/ 固界面微观结构。 液/ 固界面微观结构有两大类：- 光滑界面 - 粗糙界面  光滑界面 生长依靠台阶、扭折进行 台阶、扭折又怎么来？ - 光滑界面上二维形核 - 位错提供  粗糙界面 相当于界面上 充满台阶和扭折！ 生长相对容易、速率较快 对硅而言，除（111）面上生长时为光滑界面外， 其余面上生长时均为粗糙界面。 [001]直拉单晶会产生四条对称的脊线、以及形成可 观数量的位错后脊线会消失，原因都在此 ！ 阙院士等的解释： 四个{111}面为光滑界面，长得较慢，会形成后缩的小平面， 连起来就成为脊线；而如果有较多位错形成，在{111}面 上产生天然台阶，结晶生长速度会上来，使得其后缩程度 减小，从而小平面萎缩，直到在肉眼观察条件下消失。 疑点：肩部表观与此吻合。而侧面脊线实际是凸起的，与上述解 释似不一致！ [001] 放肩结束，进入直拉以后 … 结晶原理基本问题之四  分凝现象：主相原子从液态或气态排队结晶 时杂质原子怎么办 ？