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第一章-半导体中的电子状态1

第一章 第一章 半导体中的电子状态 教学目标、教学重点与难点 固体: 晶体和非晶体 固体: 晶体和非晶体 晶体: 单晶和多晶 晶体: 单晶和多晶 单晶体、多晶体、非晶体结构示意图 金刚石型结构和共价键 金刚石型结构和共价键 半导体材料 半导体材料 晶列的取向称为晶向。 为表示晶向,从一个格点O沿某个晶向到另一格点P作位移矢量R,如图右图,则 R=l1a+l2b+l3c 若l1:l2:l3不是互质的,通过 l1:l2:l3 =m:n:p化为互质整数, mnp就称为晶列指数,写成 [mnp],用来表示某个晶向。 晶向的米勒指数表示法 晶向判别 晶面的确定 已知晶格常数: Si: a=5.65754埃 求每立方厘米体积内有多少 个Si原子? 第一章 半导体中的电子状态 量子力学基础 量子力学(Quantum Mechanics): 研究微观粒子的运动规律的物理学分支学科,它主要研究原子、分子、凝聚态物质,以及原子核和基本粒子的结构、性质的基础理论,它与相对论一起构成了现代物理学的理论基础。 量子力学的主要任务 薛定谔方程 薛定谔方程是量子力学的基本方程,是将物质波的概念和波动方程相结合建立的二阶偏微分方程,可描述微观粒子的运动,从而了解微观系统的性质。 为什么引入能带理论 单电子近似 单电子近似(Single electron approximation ):   ? 晶体中的电子状态与能带(一维) 因此晶体中的势场必定是一个与晶格同周期的周期性函数,那么一维条件下晶体中电子的薛定谔方程为 原子的能级和晶体的能带 单原子: 电子壳层:原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用下,分列在不同的能级上,形成所谓的电子壳层,不同的支壳层的电子分别用1s,2s,2p,3s,3p,3d,...等符号表示,每一支壳层对应于确定的能量。 电子的共有化运动: 原子的能级和晶体的能带 原子的能级和晶体的能带 (1)孤立原子的能级 能级分裂:当原子周期性排列形成晶体互相靠近时,每个原子中的电子除了受到本身原子势场及其它电子作用外,还要受到其它原子势场及其它大量电子的作用,其结果是每一个能级都分裂为很多彼此相距很近的能级,形成能带 N个原子的能级的分裂 由于电子的共有化运动加剧,原子的能级分裂亦加显著:? s N个子带? p 3N个子带? 出现准连续能级 金刚石型结构价电子的能带 对于由N个原子组成的晶体:共有4N个价电子 空带 ,即导带 满带,即价带 布里渊区与能带 求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程,可以得到下图所示的晶体中电子的E(k)~k关系,虚线是自由电子 E(k)~k关系。 (1)当k=n/2a (n= ±1,±2…)时,能量不连续,形成一系列相间的允带和禁带。允带的k值位于下列几个称为布里渊区的区域中 第一布里渊区 -1/2ak1/2a 第二布里渊区 -1/ak-1/2a, 1/2ak1/a 第三布里渊区 -3/2ak-1/a , 1/ak3/2a …… 第一布里渊区称为简约布里渊区,相应的波矢称为简约波矢 轨道图 能级图 共有化运动只能在相似壳层间转移 电子的共有化运动 能级分裂 (a) E(k)~k关系 (b) 能带 (c) 第一布里渊区 晶体中电子的E(k)~k关系 * LOGO LOGO 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 硅和锗的能带结构 回旋共振 教学目标 教学重点难点 掌握半导体的晶格结构和结合性质、半导体中的电子状态 和能带理论、半导体中电子的运动、本征半导体的导电机 构、硅和锗的能带结构等 Si和GaAs的晶体结构;半导体中的电子状态 和能带理论;本征半导体及其导电机构、空穴。 晶体: 具有一定的外形和固定的熔点,组成晶体的原子(或 离子)在较大的范围内(至少是微米量级)是按一定的方式 有规则的排列而成——长程有序。如Si,Ge,GaAs 。 非晶体: 原子的排列没有明确的周期性(短程有序)。 如玻璃、橡胶、塑料 单晶体: 是指在整个晶体内原子都按周期性的规则排列。 常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓、 (GaAs)都是单晶。 多晶体:

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