pcm技术综述_冒伟.pdf

第 卷 第 期 计 算 机 学 报 ３８ ５ 　　 　　 　　 　　 　 Ｖｏｌ．３８ Ｎｏ．５ 年 月 ２０１５ ５ Ｍａ ２０１５ ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＣＯＭＰＵＴＥＲＳ ｙ 　 　 　 　 　 基于相变存储器的存储技术研究综述 冒 伟 刘景宁 童 薇 冯 丹 李 铮 周 文 张双武 　 　 　 　 　 　 （ ／ ） 华中科技大学武汉光电国家实验室 计算机科学与技术学院 武汉 ４３００７４ 　 　 摘 要 以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战 传统的基于动态随机存储器（ ） ． ＤＲＡＭ 　 　 、 ； （ ） 器件的内存面临工艺尺寸缩小至２Ｘｎｍ及以下所带来的系统稳定性 数据可靠性等问题 相变存储器 ＰＣＭ 具有 、 、 、 ， ， 非易失性 存储密度高 功耗低 抗辐射干扰等优点 且读写性能接近 ＤＲＡＭ 是未来最有可能取代 ＤＲＡＭ 的非易 ， 失存储器 它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案 文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础 ． ， ， 上 对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析 研究了基于相变存储器的内存技术和外 ， 、 、 、 ， 存技术 分析了当前在 ＰＣＭ 的寿命 写性能 延迟 功耗等方面所提出的解决方案 指出了现有方案的优势和面临 ， ， 的缺陷 并探讨了未来的研究方向 为该领域在今后的发展提供了一定的参考． ； ； ； 关键词 相变存储器 非易失存储器 存储技术 计算机体系结构 　 中图法分类号 ； 号 ／ ＴＰ３０３ ＴＰ３３３ ＤＯＩ １０．３７２４ＳＰ．Ｊ．１０１６．２０１５．００９４４ 　　　 Ａ ＲｅｖｉｅｗｏｆＳｔｏｒａｅＴｅｃｈｎｏｌｏ ＲｅｓｅａｒｃｈＢａｓｅｄｏｎＰｈａｓｅＣｈａｎ ｅＭｅｍｏｒ