华中科技大学《模拟电子技术》课程PPT——Ch 5.pdf

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华中科技大学《模拟电子技术》课程PPT——Ch 5

1. MOSFET是如何实现信号放大的? 2. MOSFET需具备什么样的条件才能正常放大 信号?如何构成其放大电路? 3. 如何分析和设计MOSFET放大电路? 4. FET与BJT放大电路有何异同点? 1 场效应管的分类: N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P沟道 JFET N沟道 (耗尽型) 结型 P沟道 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 2 Lec 05 华中科技大学电信系 张林 MOSFET是如何实现信号放大的? 放大需要: 电源 • 能量供给 • 双口网络(电路) x A y • 能实现输入对输出的控制 y Ax • 控制关系是线性的 MOSFET是如何满足这些条件的?与BJT有何异同? 3 Lec 05 华中科技大学电信系 张林 MOSFET是如何实现信号放大的? N沟道增强型结构 L :沟道长度 绝缘体 二氧化硅绝缘层 沟道 栅极 g SiO W :沟道宽度 ( 2 ) 铝电极 tox :绝缘层厚度 Al ( ) 通常 W L + N tox L N + P 型衬底 源极 s 漏极 d W 4 Lec 05 华中科技大学电信系 张林 MOSFET是如何实现信号放大的? N沟道增强型结

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