磁电子学-4.pdfVIP

自旋注入和自旋场效应晶体管自旋注入和自旋场效应晶体管 传统的半导体场效应晶体管(MOSFET) MOSFET 自旋场效应晶体管自旋场效应晶体管 SSpiinFETFET 基本问题 （比较比较MOSFET ）） 源 自旋注入 通道通道 自旋传输自旋传输 漏 自旋检测 门门 自旋控制自旋控制 门电压产压产生“等效等效 磁场” ( 自旋轨道耦合）， 影响自旋进动 改变“漏”电流 All-metal spin transistor Spin-LED i-GaAs—量子阱 基本问题的含义基本问题的含义 （（1）） （（11））自旋注入自旋注入 “使传导电子自旋极化” 即产生非平衡衡的自旋旋电子（占有数） n↑≠ n↓ 方法之一：光学技术。光取向或光抽运。偏振光 产生极化电流产生极化电流。 方法之二：电学自旋注入。（便于器件的应用） 基本问题的含义（2） （2 ）自旋传输 自旋电流从FM 电极注入半导体， 会在界面和半导体内产生“累积” 自旋弛豫机制 会使得自旋的非平衡转向平衡会使得自旋的非平衡转向平衡。 这个特征时间大约是几十纳秒这个特征时间大约是几十纳秒，，足够长足够长！！ （3 ）自旋检测 自旋状态的改变。 三种自旋注入实验 工作方式作方式 实验实验器件件 优点优点 困难困难 1 电电注―电检电检 FM/Semic 结结 电电方案案 效率低率低 22 电注电注―光检光检 磁性半导体多层磁性半导体多层 电方案电方案 低温低温 33 光生―光检 GaAs/ZnSe 实实验室易实现实现 不易应用 （（11））电注入电注入―电电检测检测 FM/ Semiconductor 界面 早期：效率太低，1 ％ P.P. R.R. HammarHammar etet alal，，PRLPRL 8383，，203203 （） S. Gardelis, et al, PRB 60,7764 (1999) 金属和半导体导电率不匹配！ （（11））电注入电注入―光检测光检测 （（之之一）） 年：： FM －肖特基势垒－SC， 据称效率达到30 ％。 AA. TT. HHanbibickikia)) ett all APLAPL 80，1240 （2002 ） （2）电注入―光检测（之二） 实验：磁性半导体电注入和偏振光检测 (Nature 402 (1999)790; ibid. 408 (2000)944) 产生：P型－(Ga,Mn)As 的自旋极化空穴 和和N型型－GaAs的非极化电的非极化电子 进入InGaAs量子阱复合， 产生极化的场致发光产生极化的场致发光。 （T=6K; H=1,000 Oe ） 检测检测：偏振光检测偏振光检测 （2）电注入―光检测（之三） （3 ）光产生―光检测（之一） Wolf S A Awschalom et al ，Science，2001 ，294 ，1488 强激光Pump在半导体中， 产生了产生了SSpiin-pollariizedd sttatte, 此时的半导体等效于”磁体”. 可以用Farady-Kerr 效应做光检测Probe. （3 ）光产生―光检测（之二） Schmidt “障碍” 电注入的问题在那里？ ““从铁磁金属直接发射电子到半导体中从铁磁金属直接发