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电化学沉积制备一维ZnSe纳米材料-云南民族大学学报
第 16卷 第 4 期 ( )
云南民族大学学报 自然科学版 Vol. 16 No. 4
2007年 10 月 ( )
Journal of Yunnan N ationalities U n iversity N atural Science s Edition O ct. 2007
电化学沉积制备一维 ZnSe纳米材料
1 2 2
曹胜男 郭志超 王光灿
( 1. 湖南娄底职业技术学院 ,湖南 娄底 , 4 17500
2. 云南大学 物理科学技术学院 ,云南 昆明 , 65009 1)
( )
摘 要 在草酸溶液中 ,采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜 AAO . 以 AAO 为模板 ,在 ZnSO 、N a SO 和
4 2 4
H SeO 的混合水溶液中进行直流电沉积 ,在孔内组装 ZnSe半导体纳米线 ,溶去模板后 ,获得粗细均匀 ,直径约为 60 nm ,长度
2 3
μ
约为 0. 5 m 的纳米线 ,与模板的孔径一致. 在制备过程中 ,无需对模板进行去除阻挡层 ,喷金或预镀金属等处理过程 ,是直接
在纳米孔内电沉积 ,形成半导体纳米线阵列. 此方法工艺简单 ,操作方便 ,容易获得半导体的一维纳米材料. SPM 、TEM 测试结
果表明 ,纳米线为六方晶型结构.
关键词 模板 ;直流电沉积 ; 纳米线
【中图分类号 】O4714 【文献标识码 】A 【文章编号 】1672—8513 (2007) 04 - 0350 - 04
E lectrochm ical D epo sition of One - di m en sional ZnSe N ano - m aterials
1 2 2
Cao Shengnan Guo Zh ichao W ang Guangcan
( 1. Loudi Profe ssional Techno logy In stitu te. Loud i 4 17500 , Ch ina
2. Schoo l of Physic s Science and Techno logy, Yunnan U n iversity, Kunm ing 65009 1, Ch ina)
( )
A b stract: Porou s anodic alum inum oxide
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