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电化学沉积多晶GaAs薄膜研究
第 卷第 期 半 导 体 光 电
22 5 Vol . 22 No . 5
年 月
2001 10 Semiconductor Optoeiectronics Oct . 2001
文章编号： （ ）
1001 - 5868 2001 05 - 0365 - 04
电化学沉积多晶GaAs 薄膜研究
1 2 2 2 2
苏红兵 ，陈庭金 ，施兆顺 ，涂洁磊 ，张 跃
（ 云南农业大学 工程学院，云南 昆明 ； 云南师范大学 太阳能研究所，云南 昆明 ）
1. 650201 2 . 650092
摘 要： 研究了电化学沉积GaAs 薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs 薄膜成分的影响，
并通过正交实验调节这些化学沉积参数，得到了化学计量比接近11 1 的GaAs 薄膜以及电化学沉积
GaAs 薄膜的最佳参数范围，为获得实用的GaAs 薄膜材料打下了基础。
关键词： 电化学沉积； 薄膜；化学计量比；太阳电池
GaAs
中图分类号： ； 文献标识码：
TN304 .23 TM914 .4 A
Study of Polycrystal GaAs Films by Electrochemical Deposition
1 2 2 2 2
， ， ， ，
SU Hong-bing CHEN Ting-jin SHI Zhao-shun TU Jie-iei ZHANG Yue
（ ， ， ， ；
1. School of Engineering Yunnan Agricultural University Kunming 650201 China
， ， ， ）
2 . Institute of Solar Energy Yunnan Normal University Kunming 650092 China
Abstract： The condition of eiectrochemicai deposition for GaAs fiims and the effect of eiectrochemicai
deposition parameters on composition of GaAs fiims are studied in this paper . The GaAs fiims whose
stoichiometric ratio cioses to 1 1 1 and the iimit on the optimum deposition parameters of the GaAs fiims are
obtained
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