EPG535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究.pdfVIP

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2017-12-08 发布于浙江
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EPG535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究.pdf

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EPG535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究

33 4 Vol. 33 No .4 20118 PIEZOELECTRICS ACOUST OOPT ICS Aug. 2011 : 1004-2474(2011) 04-0523-04 EPG 535 任洁, 傅莉, 孙玉宝, 査钢强 ( , 710072) : ( RIE) , EPG 535 ( CZT) , (AFM) CZT , EPG 535 CZT 3 , RF 60 W1. 30 Pa40 cm / min, ; RF , CZT : RF 40 W 3 1. 30 Pa 40 cm / min : ( RIE) ; EPG 535 ; ; ; :T N304. 07 : A Study on O Reactive Ion Etching Technology of EPG 535 Photoresist 2 REN Jie, U Li, SUN Yubao, ZHA Gangqiang ( State Key Lab. of Rapi Soli ification, Northw estern Polytechnical U niver sity, Xi. an 710072, China) Abstract: EPG 535 photoresist an C ZnTe substrate were et che respectively by means of O reactive ion 2 et ching( RIE) technique. T he surface roughness of C ZnTe substrate w ere etect e by atomic force microscope ( AFM) . T he effects of RF power, O pressure an the flux of O rat e on etching rat e of EPG 535 phot oresist an 2 2 the surface roughness of C ZnT e substrate w ere explore . The result s show e that the etching rate w as up to 3 extremum w hen RF power was 60 W, O pressure w as 1. 30 Pa an the flux of O w as 40 cm / min. Surface rough- 2 2 ness of CZT substrat e after etching