EUV光刻技术正在飞速发展.PPT

前景光明的EUV极端远紫外光刻 EUV是目前距实用话最近的一种深亚微米的光刻技术。他仍然采用前面提到的分步投影光刻系统，只是改变光源的波长，即采用波长更短的远紫外线。采用的EUV进行光刻的主要难点是很难找到合适的制作掩膜版的材料和光学系统。 EUV技术 前景光明的EUV极端远紫外光刻 EUV极端远紫外光所处的位置 上图中，我们可以明确看到EUV极端远紫外光在光谱中的位置，这是一种波长极短的光刻技术，其曝光波长大约为13.5nm。按照目前理论上认为的波长与蚀刻精度关系，EUV技术能够蚀刻出5nm以下工艺的晶体管。 前景光明的EUV极端远紫外光刻 EUV光刻技术正在飞速发展 前景光明的EUV极端远紫外光刻 虽然业界一再强调EUV的技术,我们有理由相信，EUV（极端远紫外光刻）将是未来纳米级光刻技术的主流工艺，而一直沉默不语的Intel是否已经使用了这种技术呢？ Intel巨资开发的Intel’s Micro Exposure Tool（MET） 其实各大厂商已经开始为EUV布局！ IMEC开发的EUV alpha demonstration tool 台积电公司订购ASML公司极紫外光刻系统Twinscan NXE3100 其实各大厂商已经开始为EUV布局！ EUV技术在Intel的实战中取得成果 光刻技术面临的困难与挑战 ≥32纳米 内容概要 光学掩膜版图形分辨率