IGBT的关断过程.PPTVIP

第一章;一个理想的功率器件，应当具有下列理想的静态和动态特性: 在截止状态时，能承受较高的电压； 在导通状态时，能承受大电流并具有很低的压降； 在开关转换时，开/关速度快，能承受很高的di/dt和dv/dt，同时还应具有全控功能。;GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂；但通态压降低,可制成较高电压和较大电流的开关器件。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单；但通态压降大,难以制成高压大电流器件。 两类器件取长补短结合而成一些复合器件—Bi-MOS器件（如IGBT);绝缘栅双极晶体管IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）; IGBT结合GTR和MOSFET的优点，具有比它们更好的特性： 输入控制部分为MOSFET，输出级为双极结型晶体管。 高输入阻抗，电压控制，驱动功率小。 开关速度快，工作频率可达10-40KHZ，随着发展，可提高到50-100kHZ。 饱和压降低，电压、电流容量较大，安全工作区较宽。 这些优越的性能使得IGBT成为电机控制、开关电源、逆变器、机器人、感应加热以及家用电器中电力电子装置的理想功率器件。 ;1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率电力电子设备的主导器件；