滋mGaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计-发光学报.PDF

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滋mGaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计-发光学报

第36卷摇 第12期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾36 No郾12 2015年12月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Dec. ,2015 文章编号:1000鄄7032(2015)12鄄1434鄄06 2 滋m GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计 1,2 1,2 1 1 1 1* 戎佳敏 ,邢恩博 ,赵摇 帅 ,汪丽杰 ,王立军 ,佟存柱 (1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春摇 130033; 2. 中国科学院大学,北京摇 100049) 摘要:为实现2 滋m低发散角激光,提出在GaSb基半导体激光器中引入布拉格反射波导,利用光子带隙效应 替代传统的全反射进行光场限制。 研究了分布反馈反射镜(DBR)的厚度、对数、高低折射率DBR厚度比以及 中心腔厚度等参数对激光器垂直远场发散角和光限制因子的影响。 结果表明:垂直远场发散角随单对 DBR 厚度的增加而减小;光限制因子与远场发散角都随拉格反射镜对数的增加而减小,随高低折射率DBR厚度比 的减小而增大;随着中心层厚度的增大,光限制因子减小而远场发散角增大。 最终在理论上优化设计出了一 种双边布拉格反射波导结构的超低垂直发散角2 滋mGaSb基边发射半导体激光器,其垂直远场发散角可降低 到10毅以下。 关摇 键摇 词:中红外半导体激光器;GaSb;布拉格反射波导;低垂直发散角 中图分类号:TN248.4摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1434 Modeling of2 滋m GaSb Based Bragg Reflection Waveguide Lasers with Ultra鄄low Vertical Divergence 1,2 1,2 1 1 1 1* RONGJia鄄min ,XING En鄄bo ,ZHAO Shuai ,WANG Li鄄jie ,WANG Li鄄jun ,TONG Cun鄄zhu (1. Changchun Institute of Optics,FineMechanics and Physics,ChineseAcademy of Sciences,Changchun 130033,China; 2. University of ChineseAcademy of Sciences,Beijing 100049,China) *Corresponding Author,E鄄mail:tongcz@ Abstract:The GaSbbasedBraggreflectionwaveguide (BRW)lasersemittingat2 mmwithultralow divergence were modeled. The dependence of far鄄field (FF)onthethicknessof Braggreflector and centre layer,the composition of Bragg reflector were simulated. The corresponding optical confine鄄 ment factorswere calculated. Itwasfoundthat the increasing of thethicknessof Braggreflector and the thicknessof high index

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