X射线辜扳电子能谱7.pptx

X射线光电子能谱;引言;引言; ? ? 外壳层 ? ? ? ? ? ? ? ? 内壳层 光电过程示意图;光电子产生过程中能量分配示意图;光电子产生过程中被吸收光子的那份能量分配在以下几个方面：;Ws-Wi=e（VI-Vs）;数据处理系统;光电离几率和XPS的信息深度 （1）光电离几率 定义 光电离几率(光电离截面?)：一定能量的光子在与原子作用时，从某个能级激发出一个电子的几率； 影响因素 ?与电子壳层平均半径，入射光子能量，原子序数有关；;（2）XPS信息深度 样品的探测深度通常用电子的逃逸深度度量。 电子逃逸深度?（Ek）：逸出电子非弹性散射的平 均自由程； ?：金属0.5~3nm；氧化物2~4nm ； 有机和高分子4~10nm ； 通常：取样深度 d = 3? ； ;XPS的特点 在实验时样品表面受辐照损伤小，能检测周期表中除 H 和 He 以外所有的元素，并具有很高的绝对灵敏度。 相邻元素的同种能级的谱线相隔较远，相互干 扰较少，元素定性的标识性强。 能够观测化学位移，化学位移同原子氧化态、原子电荷和官能团有关。;XPS谱图分析中原子能级的表示方法 XPS谱图分析中原子能级的表示用两个数字和一个小字母表示。例如:3d5/2 第一个数字3代表主量子数(n) , 小写字母代表角量子数 ; 右下角的分数代表内量子数j l—为角量子数，l = 0, 1, 2, 3 ……, ;X射线光电子能谱的基本原理;X射线光电子能谱的基本原理;Ag3d3/2;X射线光电子能谱的基本原理;化学位移 1. 定义 由于化合物结构的变化和元素氧化状态的变化引起谱峰有规律的位移称为化学位移 2. 化学位移现象起因及规律 （1）原因 内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。因而元素的价态改变或周围元素的电负性改变，则内层电子的结合能改变。; （2）规律 当元素的价态增加，电子受原子核的库伦作用增加，结合能增加；当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。;电负性: O?S?H N1s结合能值: -NO2?-SO2NH-? ;电负性: O?S?H N1s结合能值: NO3?NO2?NH2;例2　BeF2和BeO中的Be具有相同的氧化数(+2), 　 电负性Ｆ＞Ｏ, 所以Be在BeF2中比在BeO中具有更高的氧化态. ;例3 电负性 F?O?C?H 四个碳原子在分子中所处的化学环境不同 所以在谱图上出现四个位移不同的C1s峰;1. 静电效应 2. 校正方法 (1) 外标法（最常用） C 1s结合能：284.6 eV 若荷电效应在实验过程中不稳定，则实验前后各扫一次C 1s谱，取平均值。 （2） 内标法 以相同环境化学基团中电子的结合能为内标； 决定相对化学位移，而不是绝对的结合能 （3）超薄法;XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标：动能或结合能，单位是eV，一般以结合能 为横坐标。 纵坐标：相对强度（CPS）。 结合能为横坐标的优点： 结合能比动能更能反应电子的壳层结构（能级结构）， 结合能与激发光源的能量无关 ;2.光电子特征峰伴峰;振离谱线 ( Shake off ) ---- 是一种多重电离过程. 当原子的一个内层电子被X射线光电离而发射时, 由于原子的有效电荷的突然变化导致一个外层电子激发到连续区(即电离). 其结果是在谱图主峰的低动能端出现平滑的连续谱, 在连续谱的高动能端有一陡限.;能量损失峰 ( Energy loss )-----是由于光电子在穿过样