亚lOOnm多栅MOSFET的三维模拟＊.PDF

维普资讯 第 24卷增刊 半 导 体 学 报 Vo1．24．Supplem ent 2003年 5月 CHINESE JOURNAIOF SEM ICONDUCTORS M ay，2003 亚 lOOnm 多栅 MOSFET的三维模拟* 夏志良 刘晓彦 刘恩峰 韩汝琦 (北京大学微 电子所 ，北京 100871) 摘要 ：使用三维模拟软件对具有 FINFET 的多栅结构 (主要是双栅和三栅)进行 了模拟．对 比了双栅和三栅 的 — 特性 ．发现三栅 的特性要优于双栅 ；减小 FIN 宽度 (即两个侧栅之 间的距离)，双栅 和三栅结构特性 之 间的差距变 小 ． 关键词 ：双栅 M0SFET；阈值 电压 ；FINFET；三维模拟 ；短沟效应 EEACC ：2530F 中图分类号 ：TN322 ．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253—4177(2003)SO一0140—04 件特性 的影响． 1 引言 2 器件结构及模拟方法 在过去二十多年 中，为 了提高集成度和电路 的 性 能 ，MoS晶体 管 的尺 寸迅速缩 小．目前 MoS器 图 1(a)和 (b)分别是模拟 中采用 的双栅和三栅 件尺寸 已经缩 小到超深亚微米 ，而研究水平则 已进 FINFET结构．该结构两边大的部分为源漏 ，深色 区 入亚 lOOnm，对 于超 深 亚微 米 的 M0SFET 短 沟效 应越来越显著 ，阈值 电压下降口]，泄漏 电流增大 ，静 态功耗增加 ，这些都将严重影 响器件 的性能．双栅及 三栅 FINFET新结构器件_2]，增强 了栅控能力 ，可 以有效抑制短沟效应．由于增加 了栅 的数 目，加强 了 栅对沟道 的控制 ，晶体管 的驱动 电流相应增大．对于 FINFET双栅结构 ，随着栅 电压 的增大 ，源漏之间开 始有较 小的漏 电流 ，当栅 电压进一步增大 ，达到器件 的阈值 电压 时 ，沟道 区两侧硅表面形成反型层 ，即器 件在沟道两侧 都形成反 型沟道 ，源漏 导通 ，器件工 作_3]．在 FIN 厚度很薄 以致全耗尽状况 下 ，增加很 小 的栅压就会使表面势急剧增加 ，在反型层 中聚集 的载流子增加 ，使得器件能获得近乎理想 的亚 阈值 特性_4]．同时 ，由于工作 时存在两个 导 电沟道 (FIN 薄时两者都有所影响)，使得源漏 电流远远大于普通 体硅 MOSFET，因此具有较好 的驱动能力 j． 图 1 (a)双栅结构简 图；(b)三栅结构简图 Fig．1 (a)DGsstructurediagram ；(b)TGsstrut 本文对 FINFET 中的双栅和三栅 结构进 行三 turediagram 维模拟 ，通过对 比两者 的特性 ，分析了栅 的数量对器 *国家重点基础研 究专项经 费资助 (No． 夏志 良 男 ，1980年 出生 ，硕士研究生 ，主要从事器件 的模型与模拟 2002—09—16收到，2002—10-17定稿 2003中 国电子学会 维普资讯 增刊 夏 志 良等 ： 亚 100nm 多栅 MOSFET 的三维模拟 为硅 膜 ，硅膜 高度 为 r， ，下层 为氧 化层 ，厚 度为 间的差异才变得明显起来 ．这主要是 由于在 丁 小 丁s。o，中间条形 区分为三部分 ，条形 区中间部分为