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E1A_05_热设计中的校准测试
热设计中的校准测试
马新 (工业功率控制)
2016 TTA
热设计——监测IGBT结温的重要性
› 散热器设计是否合理?
› 是否能继续增加IGBT的开关频率?
› 是否能增强IGBT输出能力,提升系
统功率密度?
› 系统的可靠性?
Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 2
热等效网路介绍
› 实际应用:IGBT和二极管芯片同时被加热。
› 热耦合
› 问题:
› 热耦合和实际系统强相关,IGBT模块无法提供芯片级的热耦合数据。
T T
j / IGBT j / FWD
R
th,j-c ?
T T
c / IGBT c / FWD
R
th,c-h
Th
R
th,h-a
T
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Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 3
试验原理
采用交流电源
›考虑芯片之间的热耦合
›更准确的调节芯片功率损耗
IGBT 二极管
Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 4
结温测量
› 先去除绝缘填充胶的IGBT模块,在对芯片表面喷无光黑漆,以红外热成像
仪测温(红外线照相机)
Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 5
结温测量
› 用红外热成像仪或热电偶测得的结温都不是Tvj,IGBT 或Tvj,DIODE 。
Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 6
校准试验——结温和损耗的关系
› IGBT模块未被加热前,结温和环境温度接近。
› 右侧虚线延长线预估模块的稳态损耗和结温的关系。
› 关系曲线随IGBT模块类型和冷却条件而改变。
Copyright © Infineon Technologies AG 2015. All rights reserved. 7
校准试验——结温和NTC温度的关系
› 实际应用中,很难获取IGBT芯片或二极管芯片的结温。
› 通过NTC,可以估计芯片的稳态结温,以便设置过温保护点。
NTC’s
Charact
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