国产sic衬底上利用aln缓冲层生长高质量gan外延薄膜.pdfVIP

第３２卷　第９期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ９ ２０１１年９月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｓｅｐｔ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）０９０８９６０６ 国产 ＳｉＣ衬底上利用ＡｌＮ缓冲层生长高质量 ＧａＮ外延薄膜 １ １ １ １ 陈　耀 ，王文新 ，黎　艳 ，江　洋 ， １ １ ２ １ 徐培强 ，马紫光 ，宋　京 ，陈　弘 （１．北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所 清洁能源实验室，北京　１００１９０； ２．天津中环新光科技有限公司，天津　３００３８５） 摘要：采用高温ＡｌＮ作为缓冲层在国产ＳｉＣ衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长ＧａＮ外延薄膜。 通过