传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热-材料热处理学报.PDF

第３６卷　 第５期 材　 料　 热　 处　 理　 学　 报 Ｖｏｌ ． ３６　 Ｎｏ． ５ ２０１５年　 ５月 ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＦ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＡＮＤ ＨＥＡＴ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ Ｍａｙ ２０１５ 传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热应力的影响 １ １，２ １，３ １，２ １ １ 吕国强 ，　 杨　 玺 ，　 刘　 成 ，　 马文会 ，　 陈道通 ，　 蒋鹏仪 （１ 昆明理工大学冶金与能源工程学院， 云南 昆明　 ６５００９３；２ 真空冶金国家工程实验室，云南省高校硅 冶金与硅材料工程研究中心， 云南 昆明　 ６５００９３；３ 云南泛亚能源科技有限公司， 云南 昆明　 ６５００９３） 摘　 要：以实验室１０ ｔ／ ａ ＶＯＤＳ型多晶炉为原型，对其凝固过程的热场、固液界面和热应力进行了瞬态模拟与实验验证。 结果表 明：在坩埚底部有水冷热交换块的真空定向凝固系统中硅料凝固会产生较大的热应力，增加环形保温结构使热区封闭后可改变 炉内换热过程，从而改变硅料凝固情况；硅料在坩埚底部为石墨热交换块的系统中凝固时产生的热应力相对较小，但固液界面的 形状会发生较大的改变，影响晶粒的生长。 炉膛内径适当变宽有利于炉内热区温度分布更合理，使得硅料凝固时的固液界面更 加理想。 通过实验验证了多晶硅在坩埚底部无需进行水冷换热情况下进行真空定向凝固能达到冶金法生产太阳能级多晶硅的 要求，这为提高冶金法制备太阳能级多晶硅质量、降低系统能耗具有一定的指导意义。 关键词：多晶硅；　 真空定向凝固；　 数值模拟；　 固液界面；　 少子寿命 中图分类号：ＴＢ３８３；ＴＦ１３６　 　 　 文献标志码：Ａ　 　 　 文章编号：１００９⁃６２６４（２０１５）０５⁃０２３０⁃０７ Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｈｅａｔ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｎ ｇｒｏｗｔｈ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ａｎｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ ｏｆ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ ｉｎ ｖａｃｕｕｍ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ １ １，２ １，３ １，２ １ １ ＬÜ Ｇｕｏ⁃ｑｉａｎｇ ，　 ＹＡＮＧＸｉ ，　 ＬＩＵ Ｃｈｅｎｇ ，　 ＭＡ Ｗｅｎ⁃ｈｕｉ ，　 ＣＨＥＮ Ｄａｏ⁃ｔｏｎｇ ，　 ＪＩＡＮＧＰｅｎｇ⁃ｙｉ （１Ｆａｃｕｌｔｙ ｏｆ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｋｕｎｍｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｋｕｎｍｉｎｇ６５００９３，Ｃｈｉｎａ；２Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｆｏｒ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ，Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒ ｏｆ Ｃｏｌｌｅｇｅｓ ａｎｄ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｉｅｓ ｉｎ Ｙｕｎｎａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，Ｋｕｎｍｉｎｇ ６５００９３，Ｃｈｉｎａ；３．Ｙｕｎｎａｎ Ｐａｎ⁃Ａｓｉａｎ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ Ｌｔｄ，Ｋｕｎｍｉｎｇ６５００９３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｅ ｃｏｎｄｕｃｔｅｄ ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ａｎｄ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｏｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｉｅｌｄ，ｓｏｌｉｄ⁃ｌｉｑｕｉｄ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ａｎｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｒｅｓｓ ｉｎ ｔｈｅ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ａｌａｂｏｒａｔｏｒｙ １０ ｔ／ ａＶＯＤＳｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｆｕｒｎａｃｅ． Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｌａｒｇｅｒｔｈｅｒｍａｌ ｓｔｒｅｓｓｉｎｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎｉｎｇｏｔｉｎ ｔｈｅ ｖａｃｕｕｍ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ