电池片制造工艺习题1doc.docVIP

填空题 1、目前光伏企业太阳电池材料是 硅 。 2、化学清洗中HCl的作用 去除硅片表面的金属杂质。HF：去除硅片表面氧化层，以确保表面干净无杂质吸附。 3、光伏公司一般生产的单晶硅片是N型还是P型硅？ P型，（N型作掺杂）。 4、制绒的目的是 形成金字塔结构 、 减少光的反射率 、 提高短路电流Isc 、 提高光电转换效率 。 5、制绒工艺化学反应方程式是 Si+2NaOH+H2O=Na2Sio3+H2↑（单晶硅）； 多晶硅：Si+HNO3+HF=H2+[siF6] +NO2↑+H2O 。 6、去PSG工艺化学总方程式是 SiO2+6HF=H2[SiF6]+H2O 。 7、硅片在切割的过程中所造成的损伤层约 10um 。 8、制绒工艺的主要控制点是 NaOH的浓度 、 异丙醇浓度（IPA) 、 制绒槽内硅酸钠的累积量 、制绒腐蚀温度 、制绒腐蚀的时间长短、槽体密封程度 、异丙醇的挥发程度 。 9、单晶制绒是利用晶体硅的 100 、 111 不同晶向在 碱性腐蚀中，进行各向异性（多晶在酸性腐蚀中进行各向异性） 腐蚀的特性。 10、扩散过程中应用气体 O2 、 小N2 、 大N2 。 11、扩散在电池片上主要目的是形成一层 N型 。 12、进入扩散间必须经过 风淋门 ，穿戴好工作服 、工作鞋 、 手套 和 防尘口罩、。 13、同一炉硅片扩散方块电阻不均匀度 小于20 ，同一硅片扩散方块电阻不均匀度 ≦10 。 14、检测方块电阻用到 四探针测试 仪器，测试时扩散面向 电池表面 。 15、清洗石英器件所需要的化学品 HF 、 HCL ，清洗时应戴好 防护面罩、双层PE手套、围裙 、防护套 。 16、POCl3在高温下（＞600℃）分解的反应式为 5POCL3=P2O5+3PCL2 ，其中生产的P2O5在扩散温度下与硅的反应式为 2P2O5+5Si=5SiO2+4P ，在有氧气存在时，POCl3热分解的反应式为 4POCL3+3O2=2P2O5+6CL2 。 17、PECVD的中文名称是 等离子体增强型化学气相沉积法 。 18、PECVD镀膜方式有直接法 （管式 、板式）、 间接法（微波、直流）两种。 19、镀减反射膜需要用到 NH3 、 N2 、 PF 、 SiH4 4种气体。 20、镀膜是以 厚度 、折射率 两个参数为工艺依据，影响镀膜质量的有：管内特气流量比 、 、 、 。 21、PECVD用 椭偏仪 仪器来检测其质量的好坏。 22、丝网印刷的压缩空气压强要求 ，真空压强要求 。 23、丝网印刷有 5 大要素组成，分别是 浆料. 丝网. 基片.工作台.刮刀 。 24、丝网印刷添加浆料必须遵守和 的烧结 。 25、烧结炉的作用是 烘干硅片的浆料，去除浆料中含有机成分，完成铝背场和 的烧结 。 26、烧结炉的流程有 、 、 、 。 27、烧结炉的关机步骤需要注意的是 关闭干燥加热开关.烧结加热开关 才可以停止传送带。 28、测试条件要求光强 1000w/㎡SiF4+2HF→H2[SiF6] B、CF4+SiO2→SiF4+CO2↑ C、CF4+SiO2+O2→SiF4+CO2↑ D、SiO2+4HF→SiF4+2H2O 5、单晶绒面呈（ B ）形。 A、三角形 B、金字塔形 C、圆形 D、正方行 6、扩散洁净度要求是（ C ）。 A、10万级 B、100万级 C、1万级 D、1000万级 7、电阻测试（ C ）个点。 A、4 B、3 C、5 D、6 8、硅片扩散工艺结束后应抽取（ B ）片来检查。 A、5 B、6 C、3 D、4 9、POCl3