第14章(4学时)半导体基础和二极管.pptVIP

主要内容 1、掌握以下基本概念：半导体材料的特点、空穴、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏；了解PN结的形成过程及二极管的单向导电性； 2、掌握二极管的伏安特性及其电路的分析方法；正确理解半导体二极管的主要参数；了解稳压管工作原理及使用中的注意事项，了解选管的一般原则。 3、掌握晶体管的分类、输出特性曲线、三个工作区域的特点、放大的条件；会判断三极管的工作状态；了解三极管的结构、放大原理、参数及选管原则； * 14.半导体器件 14.1 导体基础知识 14.3 半导体二极管 14.5 晶体管 14.2 PN结 14.4 稳压二极管 14.1.1 本征半导体 14.1.2 杂质半导体 14.1 半导体的导电特性 一、什么是半导体 14.1 半导体的导电特性 物体分类 导体 如：金属 绝缘体 如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之。 半导体 二、半导体导电特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 热敏特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光敏特性 光敏器件 光电器件 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 掺杂材料：硼(B)、磷(P) 本征半导体 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 14.1.1 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 挣脱原子核束缚的电子 称为自由电子 价带中留下的空位 称为空穴 自由电子定向移动 形成电子流 本征半导体 相当于带正电的粒子，带电量与电子相等，符号相反；空穴的运动相当于电子的反方向运动 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体 掺入五价元素如P、Sb等， 形成N型半导体，也称电子型半导体 14.1.2 杂质半导体 N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 在本征半导体中掺入五价元素如P。 自由电子是多子（杂质、热激发） 空穴是少子 （热激发） 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 代表符号 P型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 在本征半导体中掺入三价元素如B。 自由电子是少子（热激发） 空穴是多子 （杂质、热激发） 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 代表符号 14.2 PN结及单向导电性 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电性 P区 N区 浓度差－－扩散运动（多子） 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 内电场—漂移运动 （少子） 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 一、PN结的形成 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动 扩散运动产生扩散电流 漂移运动 少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。 PN 结 稳定的空间电荷区 又称高阻区 也称耗尽层 1. PN结加正向电压时的导电情况 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。空间电荷区变窄，PN结呈现低阻性。 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 外 二、PN结的单向导电性 2.PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。ＰＮ结变宽 PN结呈现高阻性 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 内 外 二、 PN结的单向导电性 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散 电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性曲线 14.3 半