GaSbGaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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GaSbGaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长.pdf

43卷第5期人工晶体学报 v。1．43N。．5 至Q!兰生墨旦』Q旦垦盟垒圣Q里璺兰堕!坚垦卫鱼鱼曼!兰￡叁望坚型：圣Q!兰郝瑞亭1”，郭杰1，刘颖1，缪彦美1，徐应强2 (1．云南师范大学太阳能研究所，可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室，昆明650092； 2．中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室，北京100083) Effect)和低温光荧光谱(LTPL) 究，利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall 等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整，空穴迁移率较高。研究发现30S、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷，显著提高GaSb薄膜的光学质量。关键词：GaSb；热光伏电池；分子束外延(MBE) 中图分类号：TN304．2+3 文献标识码：A GrowthofGaSb／GaAs Heterojunction ThermalPhotovoltaicCellsMBE by HAO Yan—meil，XU Rui—tin91，一，GUOJiel，LIUYin91，MIAO Ying—q／an92 of ofSolar ofRenewableAdvancedMaterialsand Technology，MinistryEducation，InstituteEnergy， (1．KeyLaboratory Energy Manufacturing for and YunnanNormal Microstructures， University，Kunming650092，China；2．StateKeyLaboratorySuperlattiees Instituteof of 100083，China) Semiconductors，ChineseAcademySciences，Beijing December 20March (胁cei删8 2013，accepted2014) thinfilmswere on MolecularBeam Abstract：GaSb grownGaAs(001)substratesby Epitaxy(MBE)， andtheirthermal ofGaSbfilmswas quality，electrical annealingprocess investigated．Thecrystalline transitionelectron