Si纳米线的气-液-固生长与结构表征.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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Si纳米线的气-液-固生长与结构表征.pdf

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Si纳米线的气-液-固生长与结构表征.pdf

V01．29 第29卷第6期河北大学学报(自然科学版) No．6 ofHebei ScienceEdition) 2009年11月 Journal University(Natural Nov．2009 Si纳米线的气一液一固生长与结构表征白振华，范志东，程旭，彭英才 (河北大学电子信息工程学院，河北保定071002) 摘 nm、长度上制备出了Si纳米线．利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征，Si纳米线的直径为20～200 为数微米到数十微米，X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素．讨论了生长温度、SiH；流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响．关键词：Si纳米线；Au催化；气一液一固生长；结构表征 383 中图分类号：TB 文献标识码：A GrowthofSilicon via Nanowires Mechanism Vapor-Liquid—Solid andIts．StructuralCharacteristics BAI Zhen—hua，FAN Xu，PENG Zhi-dong，CHENGYing-cai and ofElectronicInformational 071002，China) (College Engineering，HebeiUniversity，Baoding nanowireswere on 1 Aufilmas and Abstract：Silicon synthesizedn—Si(11)substratesusing catalyst Si reactantbased asa on mechanism．Themeasurementof e— 114gas vaporphase vapor-liquid—solid scanning leetron showsthattheir from nm their diameters 20，一200 and arefrom microscopy mainlyrange lengths severalmicrometerstodozensofmicrometers．Theismeasuredwith composition energy-dispersiveX-ray effectsofthe flow ofAufilmand spectrometry．Thegrowthtemperature，Sill4rate，thickness