Si衬底上SiC薄膜的快速生长.pdfVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTCIRS Sep．，2007 Si衬底上SiC薄膜的快速生长 李家业+ 赵永梅 刘兴防 孙国胜 王 雷 赵万顺 罗木昌 曾一平 李晋闽 (中国科学院半导体研究所，北京100083) 学显微镜和X射线衍射(XRD)分析了SiC外延膜．探讨了生长速度与反应气体流量的关系，HCI在反应过程中的 作用机理，以及在快速生长条件下外延膜的结晶和取向关系． 关键词：3C．SiC快速生长；XRD PACC：6855；8115 中图分类号：TN304．2+4文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)SO一0218-03 1 引言 2 实验 本实验采用的是垂直式LPCVD系统．衬底是 碳化硅(SIC)属于第三代宽带隙(2．2～3．3eV) 半导体，具有耐高温、耐化学腐蚀、耐强辐射、高热导 率、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速率等性质， 源气体，H：作为载气．实验使用RF加热，生长温度 这些特性使其在高温、高频、大功率器件方面具有巨 大的应用潜力．随着SiC外延技术的不断进步，SiC 外延膜质量不断提高，促进了SiC在器件方面的发 展．对于大功率器件，要求器件有一个厚的、低缺陷 长法[4]，即SiC衬底的碳化与SiC的外延生长两个 密度的有源层，能够承受几千伏的电压或上百安(有 步骤．首先对SiC衬底表面进行除氧，除氧温度为 时甚至上千安)的电流．因此，SiC厚膜外延技术成1100℃，时间为5min．除氧结束后降温至室温，通人 C。Hs，再升温至1300℃进行碳化，碳化时间为 为制作大功率器件的关键技术．在低的外延速率下 生长厚膜，不仅增加了生长时间，也增加了生长过程 长．生长结束后，在氢气氛围下降至室温．表1列出 中的损耗It]．现在，如何提高SiC外延膜的生长速率 了各样品生长时的具体的工艺参数． 已经引起了世界上各研究小组的广泛关注． 目前，化学气相沉积(CVD)由于工艺简单、易 表1各样品生长时工艺参数 于改善外延膜的均匀性，已经成为外延SiC普遍采 Table1 Growthconditionsofsamples SiHd／seem 样品号 Si衬底 C3H8／sccmHel／seem生长时间／h 用的技术口]．CVD使用的源气体为硅烷(SiH。)和丙 1 (100) 3 6 4 3 烷(C3H8)或者硅烷(SiH。)和乙烯(C2H。)，载气是 2 (100) 4 10 4 1 H：．为了提高生长速率，需要加大源气体的流量．由 3 (111) 5 10 4 1 于SiH。流量的增加，气相中的Si成核，并且沉积在 4 (111) 10 20 4 1 5 (100) 15 45 6 1 外延表面上，可能导致台