光侦测器的种类.PPT

化合物半導體 班級： 微電四甲 姓名： 朱仁宏(4973A040) 林川航(4973A045) 老師： 王俊凱 光偵測器(photodetector) 半導體光電元件主要分為三大類 第一類是能將電能轉換為光能： 發光二極體(light emitting diode，LED) 雷射二極體(laser diode，LD) 第二類是能將光能轉換成電能： 太陽能電池(solar cell) 第三類是能偵測光能： 光偵測器(photodetector) 目錄 光偵測器應用 何謂光偵測器 光偵測器重要參數 光偵測器的種類 光偵測器應用 光偵測器(photodetector)又可稱為光檢測器。 使用的材料不同，可以分成無機光偵測器與有機光偵測器。 無機光偵測器產品： 電荷耦合元件(charge coupled device，CCD)大量使用於數位相機、錄影機，以及夜視鏡。 有機光偵測器產品： 自動照明設備、保全系統和RFID(無線射頻辨識系統)等電子產品。 相對的有機光偵測器元件具有無機擁有的功能且也具有許多勝於無機光偵測器的優點，例如：輕薄短小方便攜帶，製程溫度較低以及所需成本較低的優勢。 何謂光偵測器 光偵測器為一種能將光的信號轉換為電信號的半導體元件，藉此量測光通量或是光功率。 光偵測器 光信號 光子 電信號 電子 光偵測器重要參數 截止波長： 波長越長的光子，光能量越小，若小於能隙，光子不被偵測器所吸收，而此波長稱為截止波長。 本質半導體的截止波長為 量子效率： 入射光子所產生之電子電洞對與入射光子數的比值。 Ne----電子電洞數 Np----入射光子數 光偵測器的種類 半導體用作光偵測器一般有兩種方式： 第一種： 利用光導電度，稱為光導體(photoconductor)。 第二種： 利用二極體的結構，稱為光二極體(photodiode)。 (a)LED、(b)光二極體偵測器、(c)光導體偵測器 光導體(photoconductor)： 是利用材料在照光時導電度的改變。 缺點： 當光的強度很小時，導電度變化很小，效果不好，而且對光量的分析也不是很準。 元件的響應速度受限於載子的復合時間 當光線照到光導體的表面，產生載子，增加電導系數、降低兩端的電阻值。 光 (a).(c)同為p-i-n二極體 (b)為p-n二極體 (d)為金半二極體 (e)為金-i-n二極體 (f)為半導體點接觸二極體 光二極體(photodiode)： A. p-n感光二極體(photodiode) ： 當能量大於材料的能隙(Eg)，光子照射到二極體的空乏區時，所產生之電子電洞對由於受到的電力相反，致使電子電洞分開，個別進入n型及p型中性區，形成光電流，外界再接一個電流放大器即可準確的測量光電流。 光電子流 光電洞流 電場 光電流 光激發電 子電洞對 光 電流表 p-n感光二極體之缺點： 接面或空乏層電容不小，受RC時間常數的限制，使其無法在高調變頻率做光檢測。 空乏區寬度很薄，在長波長時，穿透深度大於空乏區寬度，大部份的光子在空乏區之外被吸收，沒有電場來分離電子電洞對。 B. p-i-n感光二極體(p-n photodiode) ： 為了擴大空乏區寬度，在p型與n型區間加入一層很寬的本質層，其中沒有載子，所以電阻很高，因此外加負電壓幾乎跨於此層兩端，產生很大的內部電場。 當光照射時，光子落在i層的機率較高，i層吸收光子產生電子電洞對，並藉由內部電場分離輸出，因此量子效率比p-n感光二極體高，反應速度也較快(內部電場高)。 電極 電極 p-i-n感光二極體之缺點： 由於空乏區加寬，且供應之負偏壓不能太大，光子漂移時間增長，影響了響應速度。 產生之光電流微弱，使用上還必須利用電路對其進行多次放大，不可避免的就是引進了放大器雜訊。 ~END~ * * 圖為一光導體(photoconuductor)，它是一片半導體材料，二端做成歐姆接觸(ohmic contact)，從二端加電壓。 * (C)平行接面照射光 * 在空乏區內，經由光激發電子電洞對，再經由內部電場而漂移至P(N)型半導體上產生光電流。 當光子照射到二極體空乏區，所產生之電子電洞對受到的電力相反，致使電子電洞分開，因而形成光電流，外界再接一個電流放大器即可準確量測光電流，電流大小和吸收的光子數目成正比。 光二極體偵測器的靈敏度遠較光導體高。 光二極體材料的選擇須使光子大於能隙Eg。 當二極體順向偏壓時，熱產生的電子從N流向P，電洞從P流向N，而光產生的載子受電場而向反方向飄移。當PN接逆偏壓時，熱和光產生的電子都是由P流向N，電洞都是從N流向P。電子電洞對產生的速率隨光的強度而增加。 * * * 圖為一光導