硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性-发光学报.PDFVIP

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2018-08-17 发布于天津
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硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性-发光学报

第３７卷　第１０期发　光　学　报Ｖｏｌ３７Ｎｏ１０２０１６年１０月ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥＯｃｔ. ꎬ２０１６文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)１０￣１１７７￣０５硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性１∗ １ꎬ２ ∗ ３１１温淑敏 ꎬ赵春旺 ꎬ王细军 ꎬ李继军 ꎬ侯清玉 (１. 内蒙古工业大学理学院ꎬ内蒙古呼和浩特　０１００５１ꎻ ２. 上海海事大学文理学院ꎬ上海　２０１３０６ꎻ　３. 乌兰察布广播电视台ꎬ内蒙古集宁　０１２０００) 摘要:为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响ꎬ采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜ꎮ 将生长后的样品分成两部分ꎬ其中一部分进行了退火处理ꎮ 对退火前后的样品用高分辨Ｘ射线双晶衍射仪测量了(４００)晶面的Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线ꎬ用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱ꎬ并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数ꎮ 结－１果表明ꎬ退火后的薄膜质量明显提高ꎮ 退火后大部分区域吸收增大ꎬ透射率明显减小ꎬ６１５ ~３７３０ｃｍ区间的透射率均比退火前降低了２０％以上ꎮ 退火后的体载流子浓度增大到退火前的２３.２６倍ꎬ迁移率增大到退火前的２７.８２倍ꎮ 关　键　词:硅基锗薄膜ꎻ红外吸收谱ꎻ载流子浓度ꎻ迁移率ꎻ电导率中图分类号:Ｏ７２２ꎻＯ４８４.４　　　文献标识码:Ａ　　　ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１１７７ＩｎｆｒａｒｅｄＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃｔｒａａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｉＳｕｂｓｔｒａｔｅＧｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓ１∗ １ꎬ２∗ ３１１ＷＥＮＳｈｕ￣ｍｉｎ ꎬＺＨＡＯＣｈｕｎ￣ｗａｎｇ ꎬＷＡＮＧＸｉ￣ｊｕｎ ꎬＬＩＪｉ￣ｊｕｎ ꎬＨＯＵＱｉｎｇ￣ｙｕ (１. ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅꎬＩｎｎｅｒＭｏｎｇｏｌｉａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＨｏｈｈｏｔ０１００５１ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＡｒｔｓａｎｄＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＳｈａｎｇｈａｉＭａｒｉｔｉｍｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＳｈａｎｇｈａｉ２０１３０６ꎬＣｈｉｎａꎻ ３. ＷｕｌａｎｃｈａｂｕＲａｄｉｏ￣ＴＶꎬＪｉｎｉｎｇ０１２０００ꎬＣｈｉｎａ) ∗ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒｓꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｗｓｍ１９７３ａ＠１６３.ｃｏｍꎻｃｗｚｈａｏ＠ｓｈｍｔｕ.ｅｄｕ.ｃｎＡｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆａｎｎｅａｌｉｎｇｏｎｔｈｅｅｐｉｔａｘｉａｌｆｉｌｍｑｕａｌｉｔｙａｎｄｏｐｔｏｅｌｅｃ￣ｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓꎬａｎｅｐｉｔａｘｉａｌＧｅｆｉｌｍｗａｓｇｒｏｗｎｏｎａＳｉ(００１)ｓｕｂｓｔｒａｔｅｖｉａｔｈｅｔｗｏ￣ｓｔｅｐｐｒｏｃｅｓｓｕｓｉｎｇｍ