硅纳米线的化学气相沉积法合成.PDFVIP

中国科学: 化学 2013 年 第43 卷 第12 期: 1730 ~ 1735 SCIENTIA SINICA Chimica SCIENCE CHINA PRESS 评 述 化学方法学专刊 硅纳米线的化学气相沉积法合成 王永成, 唐静, 郑耿锋* 复旦大学化学系先进材料实验室, 上海 200433 *通讯作者, E-mail: gfzheng@ 收稿日期: 2013-07-23; 接受日期: 2013-09-24; 网络版发表日期: 2013-11-21 doi: 10.1360/032013-241 摘要 硅纳米线是近十几年来在纳米科学与技术领域快速发展的一种重要材料. 通过精 关键词 细的结构设计与材料合成, 硅纳米线在生物传感、锂离子电池、太阳能电池和光电化学等领 硅纳米线 化学气相沉积法 域展示出良好的应用前景. 化学气相沉积(CVD)法是一大类重要的自下而上合成硅纳米线方 单一结构 法. 本文简介了 CVD 法合成硅纳米线的主要进展, 包括具有单一结构和复合结构的硅纳米 复合结构 线的合成. 其中, 单一结构的硅纳米包括本征(无掺杂) 、掺杂和超长的硅纳米线; 复合结构的 掺杂 硅纳米线包括轴向异质结、径向异质结、转折结构和树枝状结构的硅纳米线. 1 引言 1964 年, Wagner 和 Ellis[8]开创性地提出了一维硅线 的气-液- 固(VLS)三相生长机理, 并成为至今为止利 硅作为自然界中存在含量仅次于氧的元素, 一 用自上而下方法合成硅纳米线的最重要机理. 然而, 直被广泛使用. 例如, 以二氧化硅为主要成分的陶瓷 这些早期的研究工作只成功地合成了宏观尺寸的硅 工业是中华文明的重要组成部分. 近半个世纪以来, [9] 线. 直到1998 年, 哈佛大学Lieber 课题组 和香港城 整个微电子工业的高速发展得益于单晶硅材料优良 [10] 市大学李述汤课题组 分别报道了利用基于VLS 生 的半导体性能. 此外, 单晶硅与多晶硅也是太阳能电 长机理的激光溅射法, 合成出具有真正纳米尺度 池的主要材料, 被广泛应用于太阳能行业. 最近十多 的硅纳米线. 此后, 在纳米尺度控制硅纳米线的大 年, 人们对微观世界认识的深入促进了纳米科技的 小、形貌、组成、掺杂以及潜在应用等方面, 取得了 蓬勃发展. 在纳米尺度下, 材料可显示出显著不同于 一系列突破[11~13]. 宏观材料的物理和化学性质. 一维硅纳米线由于特 硅纳米线的合成包括自上而下(top-down)和自下 殊的各相异性结构和丰富的构效调控能力而受到广 而上(bottom-up) 两大类方法[14, 15]. 在自上而下方法 [1, 2] 泛研究 . 硅纳米线的直径接近甚至小于光的波长