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垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究.pdf
第38卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v01．38N。．1
2009年2月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS February，2009
垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究
王立苗，赵北君，朱世富，唐世红，何知宇，肖怀安
(四川大学材料科学系，成都610004)
摘要：Cu单晶在中子和x射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生
长炉和特制的镀碳石英生长坩埚，采用垂直布里奇曼法在30。C／cm的温度梯度下，以10mm／d的下降速度生长出
较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行x射线衍射分析和金相分析，显示出(200)晶
面尖锐的x射线衍射峰和规则的方形蚀坑，表明生长的晶体结构完整。
关键词：铜；单晶生长；垂直布里奇曼法；蚀坑观察
中图分类号：0782 文献标识码：A
on GrownVertical Method
StudyCopperSingleCrystal by Bridgman
WANG Huai-Ctlg
Li—miao，ZHAO Shi-fu，TANG Zhi-yu，XIAO
Bei-jun，ZHU Shi一7m，皤，HE
ofMaterials
(Department Science，SichuanUniversity，Chengdu610064，China)
(Rece／ved 27
22圳2008，∞Ⅸ吵edMay2008)
havebeen thevertical
Abstract：The crystals grown Bridgman
hish-qualitycoppersingle successfullyby
aself-madefurnacewhichisheatedwithfour disiliciderods．
method(VBM)，usinggrowth molybdenum
The for are as atthe
gradient
parameterscrystalgrowthtypicallyfollows：temperaturesolid—liquid
interfaceabout ofthecrucibleisabout10mm／d．After
is 30℃／cm．the
descendingspeed being
several Was the diffractionand
polished times，thecoppercrystalanalyzedby X—ray metallographie
resultsshowthatthe ofthe is
phase．The integralitygrownc
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