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光致发光谱 1. 定义：所谓光致发光(Photoluminescence)指的是以光作为激励手段，激发材料中的电子从而实现发光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程中伴随发生的现象。 基本原理：设系统的能级结果如图所示，E0是基态，E1-E6是激发态，受到激发后，系统从低能级被激发到高能级，再从高能级跃迁到低能级，其中，E2 到E1或E0有可能发光，在这中情况下，光子能量分别为hn1=E2-E1. h n 2=E2-E0 基本原理：由于半导体材料对能量高于其吸收限的光子有很强的吸收，吸收系数通常超过104cm-1，因此在材料表面约1μm厚的表层内，由本征吸收产生了大量的额外电子-空穴对，使样品处于非平衡态。这些额外载流子对一边向体内扩散，一边通过各种可能的复合机构复合。其中，有的复合过程只发射声子，有的复合过程只发射光子或既发射光子也发射声子。 从微观上讲，光致发光可以分为两个步骤： 第一步是以光对材料进行激励，将其中电子的能量提高到一个非平衡态，也就是所谓的“激发态”； 第二步，处于激发态的电子自发地向低能态跃迁，同时发射光子，实现发光。 在这个过程中，有六种不同的复合机构会发射光子，它们是： （1）自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴的复合； （2）自由激子复合 —— 晶体中原子的中性激发态被称为激子，激子复合也就是原子从中性激发态向基态的跃迁，而自由激子指的是可以在晶体中自由运动的激子，这种运动显然不传输电荷； （3）束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱中心(带电的或不带电的)束缚住的激子的辐射复合，其发光强度随着杂质或缺陷中心的增加而增加； （4）浅能级与本征带间的载流子复合——即导带电子通过浅施主能级与价带空穴的复合，或价带空穴通过浅受主能级与导带电子的复合； （5）施主-受主对复合——专指被施主-受主杂质对束缚着的电子-空穴对的复合，因而亦称为施主-受主对(D-A对)复合； （6）电子-空穴对通过深能级的复合——即SHR复合，指导带底电子和价带顶空穴通过深能级的复合，这种过程中的辐射复合几率很小。 在上述辐射复合机构中，前两种属于本征机构，后面几种则属于非本征机构。由此可见，半导体的光致发光过程蕴含着材料结构与组份的丰富信息，是多种复杂物理过程的综合反映，因而利用光致发光光谱可以获得被研究材料的多种本质信息。 由于PL谱与晶体的电子结构（能带结构）、缺陷状态、和杂质等密切相关，因此，光致发光被广泛用来研究半导体晶体的物理特性。 由于光致发光光谱的测定直接建立在额外载流子复合的基础上，而复合过程与材料的能带结构、杂质和缺陷的性质与密度以及带电状态等有很紧密的关系，因此光致发光光谱在很多研究领域得到广泛应用。 光致发光激发谱（PLE） 光致发光激发谱是当激发光波长扫描是测量发光的发射强度，它PL谱不同的是：激发谱记录的是一个选定的某发射波长（或发射谱中的一部分波长）的强度随激发光波长的变化，这是用以获得光阴杂质缺陷中心吸收和主晶格的基本吸收的一个传统方法，其装置如图： 激发光谱 在实际应用和研究工作中，还常常测量发光材料的激发光谱。激发光谱是指发光的某一谱线或谱带的强度随激发光波长（或频率）的变化。由此可知，激发光谱反映不同波长的光激发材料的效果。激发光谱的横轴代表所用的激发光波长，纵轴代表发光的强弱，可以用能量或发光强度表示。因此激发光谱表示对发光起作用的激发光的波长范围，而吸收光谱（或反射光谱 ）则只说明材料的吸收，至于吸收以后是否发光，那就不一定了。把吸收光谱（或反射光谱）和激发光谱相互比较以后，就可以判断哪些吸收对发光是有用的，哪些是不起作用的。 发光光谱也称作发射光谱 发光材料的发射光谱，指的是发光的能量按波长或频率的分布，许多发光材料的发射光谱是连续的谱带，分布在很广的范围。 一般地，光谱的形状可以用高斯函数来表示，即 其中υ是频率，EV是在频率υ附近的发光能量密度相对值，EV0是在峰值频率υ0 时的相对能量，а是正的常数。一般的发光谱带，至少近似地都可以用如上公式表示。 发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此，不同的发光谱带，是来源于不同的发光中心，因此又具有不同的性能。例如当温度升高时，一个会减弱，一个带则会相应的加强，等等。在同一个谱带的范围内，则一般地都有同样的性能。因此在研究各种发光特性时，应该注意把各个谱带分开。 Hydrothermal Synthesis of SnO2 Nanostructures with Different Morphologies and Their Optical Properties 使用的激发光波长为275nm，345nm的激发峰是由于自由激子电子空穴的复合所致，38