微机原理4章.pptVIP

3、 SRAM实例：SRAM芯片2114 ★对地址总线的接法： 由于CPU的地址线多于存储芯片的地址线，因此多余的地址线接片选地址译码器。 ②部分译码法：CPU的20根地址线中A0-A13接芯片，A14-A15接片选地址译码器，其余空如： 表4-11 三组总线连接（部分译码法） M/IO，接芯片R/W CS：接片选地址译码器 OE：接地 CB 8根： D0-D7 8根： D0-D7 DB 20根A0-A19： 其中A0-A13接芯片，A14-A15接片选地址译码器 A16-A19空 14根： A0-A13 AB CPU 220×8 芯片214×8 ★对地址总线的接法： 由于CPU的地址线多于存储芯片的地址线，因此多余的地址线接片选地址译码器。 ③线选法：CPU的20根地址线中A0-A13接芯片，A14-A17反相后接各组CS，其余空如： 表4-12 三组总线连接（线选法） M/IO，接芯片R/W CS：接片选地址译码器 OE：接地 CB 8根： D0-D7 8根： D0-D7 DB 20根A0-A19： 其中A0-A13接芯片，A14-A17反相后接各组CS A18-A19空 14根： A0-A13 AB CPU 220×8 芯片214×8 存储器就是用来存储程序和数据的，程序和数据都是信息的表现形式。 按照存取速度和用途可把存储器分为两大类： ★内存储器（简称内存，又称主存储器） ★外存储器。 内外存关系类似人脑与笔记本关系：内存直接和CPU及输入输出设备打交道。容量小，速度快，价格高。外存间接和CPU联系。存储速度慢，存储容量大，价格相对低，程序需用时可由外存调到内存，用完存到外存。 第四章 内部存储器 4.1 存储器的分类 1、按层次结构分 4.1.1 几种不同的分类方法 2、按存储介质分 ★半导体存储器： ▲双极型：速度快、集成度低、功耗大 ▲MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 ★磁介质存储器： ▲磁表面存储器（软盘、硬盘、磁盘、磁鼓） ▲磁芯存储器 3、按功能分 ★随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 ★只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 半导体 存储器 只读 存储器 （ROM） 随机存取存储器 （RAM） 双极性---RAM 掩膜式ROM 可编程ROM---PROM 紫外线擦除可编程ROM—EPROM 电擦除可编程ROM----EEPROM 闪速存储器 ----Flash Memory 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） MOS型RAM 4.1.2 RAM的操作特点 图示 ★随机存取存储器RAM的操作特点： ⑴CPU对RAM中的每一单元能读出又能写入； ⑵读/写过程中先寻找存储单元的地址，在读/写内容； ⑶读/写时间与存储单元的物理地址无关； ⑷失电后信息丢失； ⑸作Cache用。 ★RAM按制造工艺不同分为： ▲双极型：速度快、集成度低、功耗大，而被弃用； ▲MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 静态SRAM（Static RAM）---作Cache用 动态DRAM（Dynamic RAM）---作内存用，须刷新。 ★只读存储器ROM的操作特点： ⑴存放的信息在制造或使用前已经写入，使用时不能改写； ⑵使用时只能读出不能写入，读出时先寻址再读内容； ⑶失电时存储信息不会丢失，因此用于存放固定不变的程序，如监控程序等。 4.1.3 ROM的操作特点 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 4.2 随机存储存储器RAM 4.2.1 SRAM 1、六管静态存储电路 ★图中,反相器T1、T2组成相互交叉连接的双稳态触发器： T1截止T2导通，则有A=1，且B=0； T1导通T2截止，则有A=0，且B=1。 T3、T4是T1、T2的负载； T5、T6、T7、T8是控制管。 ★六管静态存储电路的工作原理： ▲行选X=1且列选Y=1时， T5、T6、T7、T8导通， 则I/O=D=A， I/O=D=B 写入时，写入信号自I/O端进入，如写入“1”，则I/O为“1”； I/O为“0”