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1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ ）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。 A: 共价键向离子键 B: 离子键向共价键 C: 金属键向共价键 D: 键金属向离子键 、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ ），离子配位数（ ）。 A: 增大，降低 B: 减小，降低 C: 减小，增大 D: 增大，增大 4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（ ）空隙中。 A: 全部四面体 B: 全部八面体 C: 1/2四面体 D: 1/2八面体 、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（ ）空隙中。 A: 全部四面体 B: 全部八面体 C: 全部立方体 D: 1/2八面体 、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（ ）个MgO分子。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（ ）。 A: 八面体空隙的半数 B: 四面体空隙的半数 C: 全部八面体空隙 D: 全部四面体空隙 、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（ ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 、CsCl晶体中Cs+的配位数为，Cl-的配位数为（ ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（ ）。 A: 同质多晶 B: 有序—无序转变 C: 同晶置换 D: 马氏体转变 . 镁橄榄石Mg2SiO4]是（ ）。 A: 岛状结构 B: 层状结构 C: 链状结构 D: 架状结构 、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（ ）。 A: 沸石萤石MgO B: 沸石MgO萤石 C: 萤石沸石MgO D: 萤石MgO沸石 、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（ ）。 A: 2 　　 B: 4 C: 6 　　 　D: 8 、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（ ）连接。 A: 共顶 　　 B: 共面 C: 共棱 　　 　D: A+B+C 、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（ ）。 A：弗仑克尔缺陷 B：肖特基缺陷 C：杂质缺陷 D：A+B 、位错的（ ）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 A: 攀移 B: 攀移 C: 增值 D: 减少 、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ ）。 A: 负离子空位 B: 间隙正离子 C