北航无机材料物理化学 综合整理.docx

无机非金属材料 总结晶体结构与晶体中的缺陷典型结构类型：金刚石结构碳原子位于结点并交替分布在立方体内的四个小立方体中心硅、锗、灰锡（α-Sn）、立方BN石墨结构碳原子成层排列，每层中C成六方环状，每个C与三个相邻C距离相等且小于层间C原子距离。石墨、六方BNNaCl型阴离子按立方最紧密方式堆积，阳离子填充全部八面体空隙，阴阳离子配位数均为6；Na+：001/2,1/200，01/20，1/21/21/2，Cl-：000.1/21/20.，01/21/2，1/201/2碱金属卤化物、碱土金属氧化物CsCl型Cl-处于顶角，Cs+处于中心；Cl-作简单立方堆积，Cs+填充在立方体间隙中；阴阳离子配位数均为8；Cs+：1/21/21/2，Cl-：000。CsBr、CsI、TIClβ-ZnS（闪锌矿）型阴离子位于面心结点，阳离子交错分布于立方体内1/8小立方体的中心；阴、阳离子配位数均为4；S：000,01/21/2，1/201/2，1/21/20，Zn：1/41/41/43/4，1/41/43/41/4，1/43/41/41/4，3/41/41/41/4β-SiC、GaAs、AlP、InSbα-ZnS（纤锌矿）型阴离子按六方紧密堆积排列，阳离子填充1/2四面体空隙；阴阳离子配位数均为4；S：000,2/31/31/2，Zn：007/8,2/31/33/8BeO、ZnO、AlNCaF2（萤石）型阳离子位于立方面心的结点、阴离子位于立方体内八个小立方体中心（阳离子按立方紧密堆积、阴离子填充全部四面体空隙）；全部八面体未被填充，八个F-间形成一个“空洞”；Ca2+配位数8，F-为4BaF2、PbF2、SnF2、CeO2、ThO2、UO2；存在负离子扩散机制（空洞提供扩散条件）TiO2（金红石）型阳离子位于四方原始格子的结点、阴离子位于晶胞中特定位置；Ti4+配位数6，O2-为4GeO2、SnO2、PbO2等CdI2（碘化镉）型面心立方格子；阳离子占六方原始格子结点，阴离子交叉分布于三个阳离子三角形中心的上下方；两层I-夹一层Cd2+；Cd2+配位数6，I-为3Mg(OH)2、Ca(OH)2、CaI2、MgI2α-Al2O3（刚玉）型O2-按六方紧密堆积排列（ABAB），Al3+填充于2/3八面体间隙，每13层重复α-Fe2O3、 Cr2O3、Ti2O3CaTi03（钙钛矿）型Ca2+占据角顶位置、02-占据面心；Ti4+位于立方体中心（填充于1/4八面体空隙）；Ti4+配位数6，Ca2+为12ABO3(A:+2，B:+4)；受温度影响的三种畸变，产生自发偶极矩，具有铁电和反铁电性，从而有介电、压电性能MgAl2O4（尖晶石）型氧离子按立方紧密堆积排列，A填充于1/8 的四面体间隙，B填充于1/2 的八面体间隙中。AB2O4(A:+2,B:+3)晶体缺陷点缺陷的分类：按照位置和成分分类：填隙原子、空位、杂质原子；按照缺陷产生原因分类：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷热缺陷：温度高于0K时，由于原子热振动离开平衡位置而引起的，浓度随温度上升成指数上升。包括弗伦克尔缺陷——晶格热振动，原子离开平衡位置到晶格间隙中，形成间隙原子；肖特基缺陷——原子获得能量离开平衡位置迁移到晶体表面。肖特基缺陷特点：正离子空位和负离子空位同时产生，伴随体积增加。弗伦克尔缺陷：间隙原子与空格点成对产生，体积不变。杂质缺陷：晶体中杂质原子含量在未超过其固溶度时，杂质缺陷浓度与温度无关。非化学计量缺陷：化学组成随周围气氛性质和压力大小变化发生组成偏离化学计量。（1）点缺陷的表示方法①主符号，表明缺陷种类；②下标，表示缺陷位置；“i”表示填隙位置③上标，表示缺陷有效电荷，“ ”表示有效正电荷，用“ ”表示有效负电荷，用“ ”表示有效零电荷，零电荷可以省略不标。空位：VVM——M原子空位VX——X原子空位 ——正离子空位 ——负离子空位②填隙原子：Mi——M 原子处在间隙位置上；Xi——X原子处在间隙位置上③错放位置：MX表示M原子被错放在X位置上④溶质原子：LM表示 L 溶质处在 M 位置；SX表示 S 溶质处在 X 位置⑤ 自由电子 e及电子空穴 h⑥带电缺陷：不同价离子之间的替代就出现带电缺陷⑦缔合中心：一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷的点缺陷相互缔合形成一组或一群新的缺陷，它不是原来两种缺陷的中和消失，这种新缺陷用缔合的缺陷放在括号内表示。（2）点缺陷反应方程与化学反应式类似，必须遵守一些基本原则，其中有些规则与化学反应所需遵循的规则完全等价：①位置关系：在化合物 MaXb 中，M位置的数目必须永远与X 位置的数目成一个正确的比例，a/b = 定值②质量平衡：缺陷方程的两边必须保持质量平衡；缺陷符号的下标只是表示缺陷位置，对质量平衡没有作用；VM为 M 位置