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相位控制IC 磁场平衡式霍尔传感器应用 不可逆PWM变换器 用功率开关器件，高频占空比调制达到调整 输出电压目的。 可逆PWM变换器 以上电机均工作在正传电动状态 VT1 VT4 导通，电流从Us+→VT1 →电机反电势E+ →E- →VT4 →GND电机吸收电能 VT1截止 VT4 导通，电流从电感UL+→VT4→GND →D2 → E+ → E- →UL-电感释放能量，电机吸收电能。 VT2导通 其他截止，电流从电机E+→VT2 →GND →D4 →E-电机正传，反电势输出电能，也称为能耗制动。若所有VT均截止且电机反电势E大于外接直流电源Us，电机正传发电运行，电机将机械能转换为电能回馈给Us。 VT3 VT2 导通，电流从Us+→VT2 →电机反电势E1 →E+ →VT2 →Us-电机反接制动 PWM电机调速过程分析 电机运行状态 电机电流Id方向 被控量 控制元件 能量流转 正转电动运行 +（左→右） 转速 T1T4导通占空比 电源→电机 正转电动运行 +电流衰减到零 准备制动 T4导通 电感→电机 正转能耗制动 -（右→左） 制动电流Id T1导通占空比 动能→制动转矩 正转回馈制动 -（右→左） 制动电流Id 降低直流电压Us 动能→ Us 正转反接制动 -（右→左） 制动电流Id T3T2导通占空比 动能+Us消耗 注：控制电机制动电流Id 大小目的是为了控制电机制动的加速度. 作业：分析电机反转运行上述过程(包括每个阶段被控量，H桥工作元件，能量流转方向。 反转电动运行 - 反转电动运行 - Id衰减 反转能耗制动 +（左→右） 反转回馈制动 +（左→右） 反转反接制动 +（左→右） 结型场效应管工作原理 场效应管 FET是Field-Effect-Transistor的缩写,也称为单极型晶体管 . 箭头指外向为P沟道JFET，指内向为N沟道JFET。 1、门极-源极间电压0V时 (VGS =0)，即栅极G接地，漏极外加正向电压，G-D间PN结承受反压，漏源极间只通过很小漏电流，工作在截止状态。 结型场效应管工作原理 2、门极-源极间大于开启电压VT时 (VGS VT)，漏极外加正向电压，VDS VGS 时G-D间PN结承受反压，栅源极间承受正向电压，工作在饱和状态。即VGS一定时漏电流，不随漏极电压和负载电阻变化为定值，漏源极电流ID大小值取决于UGS的电压值。 3、门极-源极间大于开启电压VT时 (VGS VT)，漏极外加正向电压，VDS VGS 时G-D间PN结承受正向压，栅源极间仍承受正向电压，工作在非饱和状态。漏极电压和负载电阻变化均改变漏源极电流ID大小，漏极电压UDS稍微增加使漏极电流明显增大。 电力场效应管(Power MOSFET)的工作原理,参数及特性 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 功率场效应管 与绝缘栅MOS管相同，采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图如图所示。 电力场效应管的静态特性和主要参数 1、 静态特性 （1） 输出特性 　　输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图所示。输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与晶体管GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UGS一定时，ID随UDS增加呈线性关系变化。 （2） 转移特性 　　转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线，如图所示。转移特性可表示出器件的放大能力，并且是与GTR中的电流增益β相似。由于Power MOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导图中UT为开启电压，只有当UGS=UT时才会出现导电沟道