半导体传感器物理基础.pptVIP

半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和。 半导体中的载流子在电场作用下作漂移运动。 4、载流子的迁移率与电导率 1）载流子的迁移率 电子的平均漂移速度 一秒种内通过导体某一截面的电子电量就是电流强度； 电流密度是通过垂直于电流方向的单位面积的电流。 n：电子的浓度 平均漂移速度的大小与电场强度成正比 则 μ：电子的迁移率，习惯取正值 表示单位场强下电子的平均漂移速度 单位是m2/V·s 或者cm2/V·s 总电流密度J 两式相比可以得到半导体的电导率 un：电子迁移率 up：空穴迁移率 Jn：电子电流密度 Jp: 空穴电流密度 n：电子浓度 p：空穴浓度 对于两种载流子浓度相差很悬殊而迁移率差别不太大的杂质半导体来说，它的电导率主要取决于多数载流子。 N型半导体 P型半导体 本征半导体 不同半导体材料， 、 不同 即使是同一种材料中， 和 也不同， 一般来说 意义：平均自由时间愈长，或者说单位时间内遭受散射的次数愈少， 载流子的迁移率愈高；电子和空穴的迁移率是不同的，因为它们的平均自由时间和有效质量不同。一般电子迁移率大于空穴迁移率。 散射几率: