第4章 MOS场效应晶体管-2.pptVIP

* 微电子学基础理论 第四章 MOS场效应晶体管 信息工程学院 姜梅 1. MOS 晶体管的基本结构 4.2 MOS 场效应晶体管的工作原理与基本特性 4.2.1 MOS 场效应晶体管的基本工作原理 MOS 场效应晶体管基本结构示意图 2. MOS管的基本工作原理 MOS 场效应晶体管的工作原理示意图 4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性 MOS 场效应晶体管可分为以下四种类型:N沟增强型、 N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。 1. N沟增强型MOS管及转移特性 2. N沟耗尽型MOS管及转移特性 3.P沟增强型MOS管及转移特性 4. P沟耗尽型MOS管及转移特性 4.2.3 MOS 场效应晶体管的输出特性 同双极型晶体管一样，场效应晶体管的许多基本特性可以通过它的特性曲线表示出来。 N 沟 MOS 场效应晶体管的偏置电压 它的输出特性曲线则如下图所示： 下面分区进行讨论： 1. 可调电阻区(线性工作区) 可归纳为：外加栅压UGS增大，反型层厚度增加，因而漏源电流随UDS线性增加，其电压-电流特性如上图中UGS=5V曲线中的OA段所示。 UDS较小时，导电沟道随UGS的变化 a) UGS UT 没有沟道 b) UGS UT 出现沟道 c) UGSUT 沟道增厚 2. 饱和工作区 此时的电流-电压特性对应与特性图中UGS=5V曲线的AB段。