第二讲 版图设计.ppt

第二讲 版图设计 主要内容 CMOS工艺流程 版图设计规则 理解CMOS集成电路电路的制造过程，体会硅栅CMOS工艺的优点，为理解设计规则及进行版图设计作准备。 初始氧化 光刻1，刻N阱 N阱形成 Si3N4淀积 光刻2，刻有源区，场区硼离子注入 场氧1 光刻3 场氧2 栅氧化，开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔) 蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形） 设计规则 目的：使芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率。 定义：考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 设计规则 70年代末，Meed和Conway倡导以无量纲的“?”为单位表示所有的几何尺寸限制，把大多数尺寸（覆盖，出头等等）约定为?的倍数。通常?取栅长度L的一半，又称等比例设计规则。由于其规则简单，主要适合于芯片设计新手使用，或不要求芯片面积最小，电路特性最佳的应用场合。在这类规则中，把绝大多数尺寸规定为某一特征尺寸“?”的某个倍数。与工艺线所具有的工艺分辨率有关，线宽偏离理想特征尺寸的上限以及掩膜版之间的最大套准偏差。 优点：版图设计独立于工艺和实际尺寸 设计规则 ⑴ 宽度及间距： 关于间距： diff：两个扩散区之间的间距不仅取决于工艺上几何图形的分辨率，还取决于所形成的器件的物理参数。如果两个扩散区靠得太近，在工作时可能会连通，产生不希望出现的电流。 设计规则 poly-Si：取决于工艺上几何图形的分辨率。 Al:铝生长在最不平坦的二氧化硅上， 因此，铝的宽度和间距都要大些，以免短路或断铝。 diff-poly：无关多晶硅与扩散区不能相互重叠，否则将产生寄生电容或寄生晶体管。 宽度规则 间距规则 间距规则 交叠规则 * * 刘毅 N阱硅栅CMOS工艺流程 N阱 Si3N4 缓冲用SiO2 P-Si SUB N阱 有源区 有源区 N阱 N阱 N阱 N阱 栅氧化层 N阱 多晶硅 栅氧化层 N阱 N阱 NMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱 PMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱 磷硅玻璃 N阱 N阱 Vo Vin VSS VDD P-SUB 磷注入 硼注入 磷硅玻璃 PMOS管硅栅 NMOS管硅栅